NVMFS6H800NT1G
型號(hào): NVMFS6H800NT1G
類別: FET/MOSFET 單體
描述: ON Semiconductor MOSFET, N溝道, Vds=80 V, 203 A, 5引腳 DFN封裝
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤(pán)信息
- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
-
平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的?
平臺(tái)商品來(lái)源有保障嗎?
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
|
COO(CountryofOrigin)
|
MY
|
最大漏源電壓
|
80V
|
最大漏源電阻值
|
2.1mΩ
|
最大柵閾值電壓
|
4V
|
最小柵閾值電壓
|
2V
|
最大柵源電壓
|
±20V
|
封裝類型
|
DFN
|
安裝類型
|
表面貼裝
|
引腳數(shù)目
|
5
|
類別
|
功率MOSFET
|
最大功率耗散
|
200W
|
尺寸
|
5.1x6.1x1.05mm
|
正向二極管電壓
|
1.2V
|
典型關(guān)斷延遲時(shí)間
|
97ns
|
每片芯片元件數(shù)目
|
1
|
最低工作溫度
|
-55°C
|
典型柵極電荷@Vgs
|
85nC@10V
|
典型輸入電容值@Vds
|
5530pF@40V
|
晶體管封裝類型
|
DFN
|
晶體管極性
|
N-Channel
|
功耗Pd
|
200W
|
Vds
|
80V
|
汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
AEC-Q101MSL
|
工作溫度最高值
|
175°C
|
產(chǎn)品范圍
|
-
|
閾值電壓Vgs
|
4V
|
電壓@Rds測(cè)量
|
10V
|
在電阻RDS(上)
|
0.0018ohm
|
Id連續(xù)
|
203A
|
針腳數(shù)
|
5引腳
|
Pd-功率耗散
|
200 W
|
正向跨導(dǎo) - 最小值
|
138 S
|
壽命周期
|
新產(chǎn)品:此制造商的新產(chǎn)品。
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
203 A
|
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
|
2.1 mOhms
|
制造商
|
ON Semiconductor
|
最小工作溫度
|
- 55 C
|
Qg-柵極電荷
|
85 nC
|
商標(biāo)
|
ON Semiconductor
|
封裝
|
Reel
|
最大工作溫度
|
+ 175 C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
Vgs - 柵極-源極電壓
|
20 V
|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
80 V
|
子類別
|
MOSFETs
|
產(chǎn)品種類
|
MOSFET
|
封裝 / 箱體
|
SO-8FL
|
工廠包裝數(shù)量
|
1500
|
Vgs th-柵源極閾值電壓
|
2 V
|
通道數(shù)量
|
1 Channel
|
配置
|
Single
|