NGTG20N60L2TF1G
型號: NGTG20N60L2TF1G
類別: IGBT單體
描述: ON Semiconductor, 單, 晶體管 - IGBT, Vce=600 V, 最大連續(xù)集電極電流:105(脈沖)A, TO-3PF封裝, ±20V
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認證
|
符合
|
最大集電極-發(fā)射極電壓
|
600V
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最大功率耗散
|
64W
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封裝類型
|
TO-3PF
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安裝類型
|
通孔
|
引腳數(shù)目
|
3
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尺寸
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15.5x5.5x26.5mm
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Pd-功率耗散
|
64W
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系列
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NGTG20N60L2TF1G
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集電極—射極飽和電壓
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1.65V
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子類別
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IGBTs
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制造商
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ONSemiconductor
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產(chǎn)品種類
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IGBT晶體管
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
600V
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柵極/發(fā)射極最大電壓
|
20V
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集電極連續(xù)電流
|
20A
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工廠包裝數(shù)量
|
30
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
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封裝
|
Tube
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在25C的連續(xù)集電極電流
|
40A
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柵極—射極漏泄電流
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100nA
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安裝風(fēng)格
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ThroughHole
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