NTBS2D7N06M7
型號(hào): NTBS2D7N06M7
類別: FET/MOSFET 單體
描述: 晶體管, MOSFET, N溝道, 110 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3.2 V', ' ', ' ', '
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
制造商
|
ONSemiconductor,產(chǎn)品種類
|
Pd-功率耗散
|
176 W
|
壽命周期
|
新產(chǎn)品:此制造商的新產(chǎn)品。
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
110 A
|
工作溫度最高值
|
175°C
|
閾值電壓Vgs
|
3.2V
|
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
|
2.7 mOhms
|
最小工作溫度
|
- 55 C
|
Qg-柵極電荷
|
110 nC
|
商標(biāo)
|
ON Semiconductor
|
Vds
|
60V
|
封裝
|
Reel
|
電壓@Rds測(cè)量
|
10V
|
最大工作溫度
|
+ 175 C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
Id連續(xù)
|
110A
|
晶體管封裝類型
|
TO-263
|
功耗Pd
|
176W
|
汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
-MSL
|
Vgs - 柵極-源極電壓
|
20 V
|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
60 V
|
在電阻RDS(上)
|
0.0022ohm
|
子類別
|
MOSFETs
|
產(chǎn)品種類
|
MOSFET
|
針腳數(shù)
|
3引腳
|
封裝 / 箱體
|
TO-263-3
|
工廠包裝數(shù)量
|
800
|
晶體管極性
|
N-Channel
|
Vgs th-柵源極閾值電壓
|
2 V
|
產(chǎn)品范圍
|
PowerTrenchSeries
|
通道數(shù)量
|
1 Channel
|
配置
|
Single
|