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FCP125N65S3
加入對比型號： FCP125N65S3
類別： FET/MOSFET 單體
描述： ON Semiconductor FCP125N65S3MOSFET SF3 650V 125MOHM E TO220
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
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- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
晶體管極性
|
N-Channel
|
|
Id連續(xù)
|
24A
|
|
Vds
|
650V
|
|
在電阻RDS（上）
|
0.105ohm
|
|
電壓@Rds測量
|
10V
|
|
閾值電壓Vgs
|
4.5V
|
|
功耗Pd
|
181W
|
|
晶體管封裝類型
|
TO-220
|
|
針腳數(shù)
|
3引腳
|
|
工作溫度最高值
|
150°C
|
|
產(chǎn)品范圍
|
SuperFETIIISeries
|
|
汽車質(zhì)量標準
|
-MSL
|
|
Pd-功率耗散
|
181 W
|
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
24 A
|
|
Rds On-漏源導通電阻
|
125 mOhms
|
|
制造商
|
ON Semiconductor
|
|
最小工作溫度
|
- 55 C
|
|
Qg-柵極電荷
|
46 nC
|
|
商標
|
ON Semiconductor
|
|
封裝
|
Tube
|
|
最大工作溫度
|
+ 150 C
|
|
安裝風格
|
Through Hole
|
|
Vgs - 柵極-源極電壓
|
30 V
|
|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
650 V
|
|
子類別
|
MOSFETs
|
|
產(chǎn)品種類
|
MOSFET
|
|
封裝 / 箱體
|
TO-220-3
|
|
工廠包裝數(shù)量
|
800
|
|
Vgs th-柵源極閾值電壓
|
2.5 V
|
|
通道數(shù)量
|
1 Channel
|