恒捷供應鏈
SIRA32DP-T1-RE3
加入對比型號： SIRA32DP-T1-RE3
品牌： 威世/硅尼克斯
類別： FET/MOSFET 單體
描述： Vishay / Siliconix SIRA32DP-T1-RE3MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
- 賣盤信息
- 參數
- 常見問題
| 參數 | 數值 |
|---|---|
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制造商
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Vishay
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產品種類
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MOSFET
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安裝風格
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SMD/SMT
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封裝 / 箱體
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PowerPAK-SO-8
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通道數量
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1 Channel
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晶體管極性
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N-Channel
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Vds-漏源極擊穿電壓
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25 V
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Id-連續(xù)漏極電流
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60 A
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Rds On-漏源導通電阻
|
1 mOhms
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Vgs th-柵源極閾值電壓
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2.2 V
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Vgs - 柵極-源極電壓
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- 12 V
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Qg-柵極電荷
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55 nC
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最小工作溫度
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- 55 C
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最大工作溫度
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+ 150 C
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Pd-功率耗散
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65.7 W
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商標名
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TrenchFET
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封裝
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Cut Tape
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封裝
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MouseReel
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封裝
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Reel
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系列
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SIR
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商標
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Vishay / Siliconix
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工廠包裝數量
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3000
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子類別
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MOSFETs
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典型關閉延遲時間
|
24 ns
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壽命周期
|
新產品：此制造商的新產品。
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