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C3M0120090J
加入對比型號： C3M0120090J
類別： FET/MOSFET 單體
描述： Wolfspeed / Cree C3M0120090JMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
品牌官網(wǎng)： www.wolfspeed.com
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- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
晶體管極性
|
N-Channel
|
|
Id連續(xù)
|
22A
|
|
Vds
|
900V
|
|
在電阻RDS（上）
|
0.12ohm
|
|
電壓@Rds測量
|
15V
|
|
閾值電壓Vgs
|
2.1V
|
|
功耗Pd
|
83W
|
|
晶體管封裝類型
|
TO-263
|
|
針腳數(shù)
|
7引腳
|
|
工作溫度最高值
|
150°C
|
|
產品范圍
|
C2MSeries
|
|
汽車質量標準
|
-MSL
|
|
Pd-功率耗散
|
83W
|
|
Vgs-柵極-源極電壓
|
-8V，18V
|
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
22A
|
|
制造商
|
Cree，Inc.
|
|
類型
|
SiliconCarbideMOSFET
|
|
最小工作溫度
|
-55C
|
|
Qg-柵極電荷
|
17.3nC
|
|
商標
|
Wolfspeed/Cree
|
|
封裝
|
Tube
|
|
最大工作溫度
|
+150C
|
|
安裝風格
|
SMD/SMT
|
|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
900V
|
|
子類別
|
MOSFETs
|
|
產品種類
|
MOSFET
|
|
工廠包裝數(shù)量
|
50
|
|
Vgsth-柵源極閾值電壓
|
1.8V
|
|
通道數(shù)量
|
1Channel
|
|
產品
|
PowerMOSFET
|
|
RdsOn-漏源導通電阻
|
170mOhms
|
|
Temperatuur
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
VGS(th)(Max)@Id
|
3.5V@3mA
|
|
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vd...
|
350pF@600V
|
|
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
|
17.3nC@15V
|
|
LeverancierDevicePakket
|
D2PAK-7
|
|
Verpakking/doos
|
TO-263-8,D2Pak(7Leads+Tab),TO-263CA
|
|
Vochtgevoeligheidsniveau(MSL)
|
1(Unlimited)
|
|
Serie
|
C3M?
|
|
Vermogensverlies(Max)
|
83W(Tc)
|
|
FETType
|
N-Channel
|
|
DrainnaardeBronVoltage(Vdss)
|
900V
|
|
montageType
|
SurfaceMount
|
|
Loodvrijestatus/RoHS-status
|
Leadfree/RoHSCompliant
|
|
FETFeature
|
-
|
|
Technologie
|
SiCFET(SiliconCarbide)
|
|
Oorsprong
|
Contactus
|
|
Vgs(Max)
|
+18V,-8V
|
|
FabrikantStandaardLevertijd
|
26Weeks
|
|
Aandrijfspanning(Max.RdsAan,Mi...
|
15V
|
|
Email
|
[email?protected]
|
|
Staat
|
New&Unused,OriginalPacking
|
|
gedetailleerdebeschrijving
|
N-Channel900V22A(Tc)83W(Tc)SurfaceMountD2PAK-7
|
|
Current-ContinuousDrain(Id)@25...
|
22A(Tc)
|
|
RdsOn(Max)@Id,VGS
|
155mOhm@15A,15V
|
|
Packaging
|
Tube
|