恒捷供應(yīng)鏈
NVD5117PLT4G
加入對比型號： NVD5117PLT4G
類別： FET/MOSFET 單體
描述： ON Semiconductor NVD5117PLT4GMOSFET 60V T1 PCH DPAK
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
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-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
MSL
|
MSL1-Unlimited
|
|
Pd-功率耗散
|
118W
|
|
Vgs-柵極-源極電壓
|
-4.5V
|
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
11A
|
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
|
最小工作溫度
|
-55C
|
|
Qg-柵極電荷
|
85nC
|
|
商標
|
ONSemiconductor
|
|
封裝
|
Reel
|
|
最大工作溫度
|
+175C
|
|
安裝風格
|
SMD/SMT
|
|
資格
|
AEC-Q101
|
|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
60V
|
|
系列
|
NVD5117PL
|
|
子類別
|
MOSFETs
|
|
產(chǎn)品種類
|
MOSFET
|
|
工廠包裝數(shù)量
|
2500
|
|
晶體管極性
|
P-Channel
|
|
Vgsth-柵源極閾值電壓
|
1.5V
|
|
通道數(shù)量
|
1Channel
|
|
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
22mOhms
|