SIHJ7N65E-T1-GE3
型號: SIHJ7N65E-T1-GE3
類別: FET/MOSFET 單體
描述: 晶體管, MOSFET, N溝道, 7.9 A, 650 V, 0.52 ohm, 10 V, 2 V
品牌官網(wǎng): www.vishay.com
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
晶體管極性
|
N溝道
|
Id連續(xù)
|
7.9A
|
Vds
|
650V
|
在電阻RDS(上)
|
0.52ohm
|
電壓@Rds測量
|
10V
|
閾值電壓Vgs
|
2V
|
功耗Pd
|
96W
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晶體管封裝類型
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PowerPAKSO
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針腳數(shù)
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4引腳
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工作溫度最高值
|
150°C
|
產(chǎn)品范圍
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ESeries
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汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
-MSL
|