QH8MA2TCR
型號(hào): QH8MA2TCR
品牌: 羅姆
類別: FET/MOSFET 單體
描述: Dual N/P-Channel MOSFET, 3 (P Channel) A, 4.5 (N Channel) A, 30 (N Channel) V, 30 (P Channel) V QH8MA2, 8-Pin
品牌官網(wǎng): www.rohm.com
- 賣盤信息
- 參數(shù)
- 常見問題
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
晶體管極性
|
N-Channel,P-Channel
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Id連續(xù)
|
4.5A
|
Vds
|
30V
|
在電阻RDS(上)
|
0.025ohm
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電壓@Rds測量
|
10V
|
閾值電壓Vgs
|
2.5V
|
功耗Pd
|
1.5W
|
晶體管封裝類型
|
TSMT
|
針腳數(shù)
|
8引腳
|
工作溫度最高值
|
150°C
|
產(chǎn)品范圍
|
-
|
汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
-MSL
|
Pd-功率耗散
|
1.5W
|
Vgs-柵極-源極電壓
|
20V
|
零件號(hào)別名
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QH8MA2
|
Id-連續(xù)漏極電流
|
4.5A,3A
|
制造商
|
ROHMSemiconductor
|
最小工作溫度
|
-
|
Qg-柵極電荷
|
8.4nC,7.8nC
|
商標(biāo)
|
ROHMSemiconductor
|
封裝
|
Reel
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最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
封裝/箱體
|
TSMT-8
|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
30V
|
子類別
|
MOSFETs
|
產(chǎn)品種類
|
MOSFET
|
工廠包裝數(shù)量
|
3000
|
Vgsth-柵源極閾值電壓
|
1V
|
通道數(shù)量
|
2Channel
|
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
25mOhms,55mOhms
|
QH8MA2TCRProductDetails
|
TheMiddlePowerMOSFETQH8MA2TCRissuitableforswitchingpowersupply.FeatureLowon-resistance.SmallSurfaceMountPackage(TSMT8).Pb-freeleadplating;RoHScompliant.HalogenFree(Picture:Diagram)
|
Polarity
|
Nch+Pch
|
PackageCode
|
TSMT8
|
DrainCurrentID[A]
|
4.5
|
TotalgatechargeQg[nC]
|
4.7
|
SpiceSimulationEvaluationCircu...
|
-
|
DrainSourceVoltageVDSS[V]
|
30
|
PackageSize[mm]
|
3.0x2.8(t=0.8)
|
RDS(on)[O]VGS=Drive(Typ.)
|
0.04
|
ROHMPackage
|
TSMT8
|
DriveVoltage[V]
|
4.5
|
BareDieP/N
|
-
|
JEITAPackage
|
-
|
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