HGTG10N120BND
型號(hào): HGTG10N120BND
品牌: 安森美
類別: IGBT單體
描述: ON Semiconductor / Fairchild HGTG10N120BNDIGBT 晶體管 35A 1200V N-Ch
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
制造商
|
ON Semiconductor
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產(chǎn)品種類
|
IGBT 晶體管
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封裝 / 箱體
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TO-247-3
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安裝風(fēng)格
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Through Hole
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集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
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1200 V
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集電極—射極飽和電壓
|
2.45 V
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柵極/發(fā)射極最大電壓
|
+/- 20 V
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Pd-功率耗散
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298 W
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最小工作溫度
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- 55 C
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最大工作溫度
|
+ 150 C
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系列
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HGTG10N120BND
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封裝
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Tube
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集電極最大連續(xù)電流 Ic
|
35 A
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商標(biāo)
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ON Semiconductor / Fairchild
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集電極連續(xù)電流
|
35 A
|
柵極—射極漏泄電流
|
+/- 250 nA
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工廠包裝數(shù)量
|
450
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子類別
|
IGBTs
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零件號(hào)別名
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HGTG10N120BND_NL
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