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HGTG30N60B3D
加入對比型號： HGTG30N60B3D
類別： IGBT單體
描述： ON Semiconductor / Fairchild HGTG30N60B3DIGBT 晶體管 600V IGBT UFS N-Channel
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
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- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
制造商
|
ON Semiconductor
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|
產(chǎn)品種類
|
IGBT 晶體管
|
|
封裝 / 箱體
|
TO-247-3
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安裝風格
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Through Hole
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集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
|
600 V
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集電極—射極飽和電壓
|
1.45 V
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柵極/發(fā)射極最大電壓
|
+/- 20 V
|
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Pd-功率耗散
|
208 W
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最小工作溫度
|
- 55 C
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最大工作溫度
|
+ 150 C
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|
系列
|
HGTG30N60B3D
|
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封裝
|
Tube
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集電極最大連續(xù)電流 Ic
|
60 A
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商標
|
ON Semiconductor / Fairchild
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|
集電極連續(xù)電流
|
60 A
|
|
柵極—射極漏泄電流
|
+/- 250 nA
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工廠包裝數(shù)量
|
450
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子類別
|
IGBTs
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零件號別名
|
HGTG30N60B3D_NL
|