STGW8M120DF3
型號(hào): STGW8M120DF3
品牌: 意法半導(dǎo)體
類(lèi)別: IGBT單體
描述: STMicroelectronics STGW8M120DF3IGBT 晶體管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
品牌官網(wǎng): www.st.com
- 賣(mài)盤(pán)信息
- 參數(shù)
- 常見(jiàn)問(wèn)題
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
制造商
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STMicroelectronics
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產(chǎn)品種類(lèi)
|
IGBT 晶體管
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封裝 / 箱體
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TO-247-3
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安裝風(fēng)格
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Through Hole
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集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
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1200 V
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集電極—射極飽和電壓
|
1.85 V
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柵極/發(fā)射極最大電壓
|
20 V
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Pd-功率耗散
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167 W
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最小工作溫度
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- 55 C
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最大工作溫度
|
+ 175 C
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系列
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STGW8M120DF3
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封裝
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Tube
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商標(biāo)
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STMicroelectronics
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柵極—射極漏泄電流
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250 uA
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工廠包裝數(shù)量
|
600
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子類(lèi)別
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IGBTs
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