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NTMFS4897NFT1G

型號: NTMFS4897NFT1G

類別: FET/MOSFET 單體

描述: Trans MOSFET N-CH 30V 47A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R

品牌官網(wǎng): www.onsemi.com

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平臺購物流程是怎樣的?

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平臺商品來源有保障嗎?

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參數(shù) 數(shù)值
制造商
ONSemiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
安裝風格
SMD/SMT
通道數(shù)量
1Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
30V
Id-連續(xù)漏極電流
171A
RdsOn-漏源導通電阻
2mOhms
Vgsth-柵源極閾值電壓
2.5V
Vgs-柵極-源極電壓
20V
Qg-柵極電荷
83.6nC
最小工作溫度
-55C
最大工作溫度
+150C
Pd-功率耗散
96.2W
配置
Single
封裝
CutTape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
系列
NTMFS4897N
商標
ONSemiconductor
工廠包裝數(shù)量
1500
子類別
MOSFETs
Channel Mode
Enhancement
Automotive
No
Package Width
5.9
HTS
8541.29.00.95
Maximum Continuous Drain Curre...
47
Military
No
PCB changed
4
Standard Package Name
DFN
Product Category
Power MOSFET
Typical Rise Time (ns)
24
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
40.2@4.5V|83.6@10V
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Typical Turn-Off Delay Time (n...
36
Number of Elements per Chip
1
Channel Type
N
Maximum Operating Temperature ...
150
Lead Shape
Flat
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Typical Input Capacitance @ Vd...
5660@15V
Pin Count
5
Package Height
1.05(Max)
Typical Fall Time (ns)
13
Package Length
4.9
Part Status
Active
Maximum Power Dissipation (mW)
7300
Minimum Operating Temperature ...
-55
Supplier Package
SO-FL
Maximum Drain Source Voltage (...
30
Maximum Gate Source Voltage (V...
±20
ECCN (US)
EAR99
Typical Turn-On Delay Time (ns...
26
Maximum Drain Source Resistanc...
2@10V
Tab
Tab
Packaging
Tape and Reel
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
83.6