SCTWA50N120
型號(hào): SCTWA50N120
類別: FET/MOSFET 單體
描述: STMicroelectronics SCTWA50N120MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
品牌官網(wǎng): www.st.com
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
制造商
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STMicroelectronics
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產(chǎn)品種類
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MOSFET
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安裝風(fēng)格
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Through Hole
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封裝 / 箱體
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HiP-247-3
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通道數(shù)量
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1 Channel
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晶體管極性
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N-Channel
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Vds-漏源極擊穿電壓
|
1.2 kV
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Id-連續(xù)漏極電流
|
65 A
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Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
|
52 mOhms
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Vgs th-柵源極閾值電壓
|
1.8 V
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Vgs - 柵極-源極電壓
|
25 V
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Qg-柵極電荷
|
122 nC
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最小工作溫度
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- 55 C
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最大工作溫度
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+ 200 C
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Pd-功率耗散
|
318 W
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商標(biāo)名
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HiP247a?¢
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系列
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SCTWA50N120
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商標(biāo)
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STMicroelectronics
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工廠包裝數(shù)量
|
600
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子類別
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MOSFETs
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