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C2M1000170D

型號： C2M1000170D

類別： FET/MOSFET 單體

描述： Wolfspeed / Cree C2M1000170DMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm

品牌官網(wǎng)： www.wolfspeed.com

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拍明芯城的訂單可以提供合同嗎?

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參數(shù) 數(shù)值
制造商
Cree，Inc.
產(chǎn)品種類
MOSFET
安裝風(fēng)格
ThroughHole
通道數(shù)量
1Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
1.7kV
Id-連續(xù)漏極電流
4.9A
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
1Ohms
Vgsth-柵源極閾值電壓
2.4V
Vgs-柵極-源極電壓
-10V，25V
Qg-柵極電荷
13nC
最小工作溫度
-55C
最大工作溫度
+150C
Pd-功率耗散
69W
封裝
Tube
商標
Wolfspeed/Cree
工廠包裝數(shù)量
30
子類別
MOSFETs
正向二極管電壓
3.8V
典型輸入電容值@Vds
200pF@1000V
最大功率耗散
69W
最低工作溫度
-55°C
引腳數(shù)目
3
典型柵極電荷@Vgs
13nC@20V，13nC@5V
COO(CountryofOrigin)
CN
封裝類型
TO-247
典型關(guān)斷延遲時間
11ns
最大柵閾值電壓
3.1V
安裝類型
通孔
每片芯片元件數(shù)目
1
尺寸
16.13x5.21x21.1mm
最大漏源電阻值
1.4Ω
最大柵源電壓
-5V、+20V
防靜電標準認證
符合
ROHS標準
符合
最大漏源電壓
1700V
類別
功率MOSFET
最小柵閾值電壓
2.4V
Temperatuur
-55°C~150°C(TJ)
VGS(th)(Max)@Id
2.4V@100μA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vd...
191pF@1000V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
13nC@20V
LeverancierDevicePakket
TO-247-3
Verpakking/doos
TO-247-3
Vochtgevoeligheidsniveau(MSL)
1(Unlimited)
Serie
Z-FET?
Vermogensverlies(Max)
69W(Tc)
FETType
N-Channel
DrainnaardeBronVoltage(Vdss)
1700V
montageType
ThroughHole
Loodvrijestatus/RoHS-status
Leadfree/RoHSCompliant
FETFeature
-
Technologie
SiCFET(SiliconCarbide)
Oorsprong
Contactus
Vgs(Max)
+25V,-10V
FabrikantStandaardLevertijd
52Weeks
Aandrijfspanning(Max.RdsAan,Mi...
20V
Email
[email?protected]
Staat
New&Unused,OriginalPacking
gedetailleerdebeschrijving
N-Channel1700V4.9A(Tc)69W(Tc)ThroughHoleTO-247-3
Current-ContinuousDrain(Id)@25...
4.9A(Tc)
RdsOn(Max)@Id,VGS
1.1Ohm@2A,20V
Packaging
Tube
ECCN
EAR99