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C2M0280120D

型號(hào)： C2M0280120D

類(lèi)別： FET/MOSFET 單體

描述： Wolfspeed / Cree C2M0280120DMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm

品牌官網(wǎng)： www.wolfspeed.com

  • 賣(mài)盤(pán)信息
  • 常見(jiàn)問(wèn)題
  • 參數(shù)

平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的？

注冊(cè)/登錄 --搜索型號(hào) --加入購(gòu)物車(chē)/直接購(gòu)買(mǎi) -- 填寫(xiě)并核對(duì)訂單--提交訂單 -- 待訂單審核-- 下載合同-- 合同蓋章上傳-- 付款-- 待收貨 -- 確認(rèn)收貨--申請(qǐng)開(kāi)票

平臺(tái)商品來(lái)源有保障嗎？

拍明芯城設(shè)有專(zhuān)業(yè)的渠道管理部，對(duì)商家（原廠(chǎng)/代理資質(zhì)）進(jìn)行嚴(yán)格的資質(zhì)審核，商家通過(guò)資質(zhì)審核方可擁有上架商品權(quán)限；拍明芯城比任何一位客戶(hù)都注重商品的渠道和質(zhì)量，所售商品100%經(jīng)平臺(tái)驗(yàn)貨，確保100%正品！您可以放心選購(gòu)。

平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎？

平臺(tái)上的商品信息均是經(jīng)過(guò)拍明芯城嚴(yán)格篩選過(guò)濾的真實(shí)供貨信息，您可以放心選購(gòu)，如果您喜歡的寶貝放入了購(gòu)物車(chē)，請(qǐng)及時(shí)下單和付款，避免緊缺現(xiàn)貨被其他買(mǎi)家搶先買(mǎi)走。您下單后，您也可以催促客服盡快交付貨物。

平臺(tái)支持BOM詢(xún)價(jià)嗎?

拍明芯城提供BOM配單一站式服務(wù)，您可以注冊(cè)/登錄后在"會(huì)員中心-詢(xún)價(jià)單"中上傳BOM進(jìn)行批量詢(xún)價(jià)。您也可以選擇一對(duì)一專(zhuān)屬客服服務(wù)。

平臺(tái)下單后什么時(shí)候能發(fā)貨？多久能到？

拍明芯城的每條供貨信息均提供了交貨時(shí)間，您可選擇滿(mǎn)足您要求的交貨時(shí)間來(lái)下單，我們會(huì)接單并收款后嚴(yán)格按照承諾的交期給您發(fā)貨。

拍明芯城的訂單如何跟蹤?

您可以在“買(mǎi)家訂單”中非常便捷的查看和跟蹤訂單實(shí)時(shí)狀態(tài)，包括合同/物流/資金/發(fā)票等信息。我們也支持郵件、短信通知的方式。如對(duì)訂單交貨期有任何疑問(wèn)，您還可以隨時(shí)在線(xiàn)聯(lián)系平臺(tái)客服或致電400-693-8369咨詢(xún)客服。

拍明芯城的訂單可以提供合同嗎?

可以。您在拍明芯城網(wǎng)站提交的訂單審核通過(guò)后，即可在“會(huì)員中心”-“買(mǎi)家訂單”中下載交易合同和上傳蓋章后的合同。該合同為雙方訂單的契約合同，具有法律效力。

拍明芯城的發(fā)票如何開(kāi)具?

拍明芯城根據(jù)稅務(wù)局的要求按照訂單明細(xì)為買(mǎi)家開(kāi)具發(fā)票，請(qǐng)您確?！皶?huì)員信息”-“我的發(fā)票”里的發(fā)票信息正確無(wú)誤。
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參數(shù) 數(shù)值
制造商
Cree，Inc.
產(chǎn)品種類(lèi)
MOSFET
安裝風(fēng)格
ThroughHole
通道數(shù)量
1Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
1.2kV
Id-連續(xù)漏極電流
10A
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
280mOhms
Vgsth-柵源極閾值電壓
2.8V
Vgs-柵極-源極電壓
25V
Qg-柵極電荷
5.6nC
最小工作溫度
-55C
最大工作溫度
+150C
Pd-功率耗散
62.5W
商標(biāo)名
Z-FET
封裝
Tube
商標(biāo)
Wolfspeed/Cree
工廠(chǎng)包裝數(shù)量
30
子類(lèi)別
MOSFETs
正向二極管電壓
3.3V
典型輸入電容值@Vds
259pF@1000V
最大功率耗散
62.5W
最低工作溫度
-55°C
引腳數(shù)目
3
典型柵極電荷@Vgs
20.4nC@20V
COO(CountryofOrigin)
CN
封裝類(lèi)型
TO-247
典型關(guān)斷延遲時(shí)間
10.8ns
最大柵閾值電壓
4V
安裝類(lèi)型
通孔
每片芯片元件數(shù)目
1
尺寸
16.13x21.1x5.21mm
最大漏源電阻值
370mΩ
最大柵源電壓
+25V
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
符合
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
符合
最大漏源電壓
1200V
類(lèi)別
功率MOSFET
最小柵閾值電壓
2V
Temperatuur
-55°C~150°C(TJ)
VGS(th)(Max)@Id
2.8V@1.25mA(Typ)
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vd...
259pF@1000V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
20.4nC@20V
LeverancierDevicePakket
TO-247-3
Verpakking/doos
TO-247-3
Vochtgevoeligheidsniveau(MSL)
1(Unlimited)
Serie
Z-FET?
Vermogensverlies(Max)
62.5W(Tc)
FETType
N-Channel
DrainnaardeBronVoltage(Vdss)
1200V
montageType
ThroughHole
Loodvrijestatus/RoHS-status
Leadfree/RoHSCompliant
FETFeature
-
Technologie
SiCFET(SiliconCarbide)
Oorsprong
Contactus
Vgs(Max)
+25V,-10V
FabrikantStandaardLevertijd
52Weeks
Aandrijfspanning(Max.RdsAan,Mi...
20V
Email
[email?protected]
Staat
New&Unused,OriginalPacking
gedetailleerdebeschrijving
N-Channel1200V10A(Tc)62.5W(Tc)ThroughHoleTO-247-3
Current-ContinuousDrain(Id)@25...
10A(Tc)
RdsOn(Max)@Id,VGS
370mOhm@6A,20V
Packaging
Tube