恒捷供應(yīng)鏈
EPC2108ENGRT
加入對比- 賣盤信息
- 參數(shù)
- 常見問題
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
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lead free status
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non-pb-free
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Field-effect transistor type
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3N-CH (Half Bridge)
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Drain to Source voltage
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60V|100V
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Continuous drain current
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1.7A|500mA
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Polarity
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N
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Package
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9-VFBGA
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Series name
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eGaN
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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190 mOhm @ 2.5A, 5V
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FET Feature
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GaNFET (Gallium Nitride)
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Mounting Type
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Surface Mount
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Input Capacitance (Ciss) (Max)...
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22pF @ 30V
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Operating Temperature
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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Manufacturer Part Number
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EPC2108ENGRT
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Series
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eGaN?
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Package / Case
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Die
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Description
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TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
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Category
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Discrete Semiconductor
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2.5V @ 200μA
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Manufacturer
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EPC
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Power - Max
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-
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Drain to Source Voltage (Vdss)
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60V, 100V
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Current - Continuous Drain (Id...
|
1.7A, 500mA
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FET Type
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3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
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Supplier Device Package
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Die
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Packaging
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Tape & Reel (TR)
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
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0.22nC @ 5V
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