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LR024N

型號： LR024N

描述： Vds=60V Id=16.9A TO-252 N溝道漏源電壓(Vdss)：60V 連續(xù)漏極電流(Id)：16.9A 功率(Pd)：41.7W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：73mΩ@10V,5.1A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：19.8nC@4.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：860pF@30V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：40pF@30V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

品牌官網(wǎng)： www.vbsemi.com

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參數(shù)

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參數(shù)	數(shù)值
閾值電壓Vgs(th)	3V@250μA
FET類型	N溝道
漏源極電壓（Vdss）	60V
是否無鉛	無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
零件狀態(tài)	在售
漏源電壓(Vdss)	60V
柵極電荷(Qg)(Max)	30nC
輸入電容(Ciss)(Max)	860pF
工作溫度(Tj)	-55°C~150°C
安裝類型	表面貼裝(SMT)
封裝/外殼	TO-252
最小包裝量	1
無鉛情況/RoHS	符合
封裝	1
包裝	1
類別	晶體管-FET，MOSFET
商品描述	晶體管-FET，MOSFETMOS管，N溝道,60V,18.2A,73mΩ@10V
制造商	臺灣微碧

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LR024N