NCE30P30K
型號: NCE30P30K
類別: 射頻用FET/MOSFET
描述: 類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):30V 連續(xù)漏極電流(Id):30A 功率(Pd):60W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,20A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA P溝道,30V,30A.
品牌官網(wǎng): www.ncepower.com
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
閾值電壓Vgs(th)
|
2.5V@250μA
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漏極電流Idss
|
1uA
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FET類型
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P溝道
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元件生命周期
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Active
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引線數(shù)量
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3Pin
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原產(chǎn)國家
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China
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漏源極電壓(Vdss)
|
30V
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零件狀態(tài)
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在售
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漏源電壓(Vdss)
|
30V
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連續(xù)漏極電流Id@25℃
|
30A
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導(dǎo)通電阻RdsOn(Max)
|
18mΩ
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柵極電荷(Qg)(Max)
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31.2nC
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功率(Max)
|
60W
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工作溫度(Tj)
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-55°C~175°C
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安裝類型
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表面貼裝(SMT)
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封裝/外殼
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TO-252-2L
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