4N60L-B-TN3-R
型號: 4N60L-B-TN3-R
類別: 其他晶體管
描述: 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):4A 漏源電壓(Vdss):600V 柵源極閾值電壓:4V @ 250uA 漏源導通電阻:2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 類型:N溝道
品牌官網: www.unisonic.com.tw
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參數 | 數值 |
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商品目錄
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MOS(場效應管)
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漏源電壓(Vdss)
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600V
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連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)
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4A
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柵源極閾值電壓
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4V @ 250uA
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最大功率耗散(Ta=25°C)
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50W
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類型
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N溝道
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商品毛重
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0.504克(g)
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封裝
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TO-252-2(DPAK)
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