恒捷供應(yīng)鏈
NSBA114EDXV6T1G
加入對比型號： NSBA114EDXV6T1G
類別： 帶預(yù)偏置雙極型晶體管陣列
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.cn
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- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
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Varenummer
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NSBA114EDXV6T1G
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Fabrikant
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AMISemiconductor/ONSemiconductor
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Beskrivelse
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TRANS2PNPPREBIAS0.5WSOT563
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BlyfriStatus/RoHSStatus
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Blyfri/RoHS-kompatibel
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M?ngdeTilg?ngelig
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1151209pcs
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Sp?nding-SamlerEmitterOpdeling...
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50V
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VceM?tning(Max)@Ib,Ic
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250mV@300μA,10mA
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TransistorType
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2PNP-Pre-Biased(Dual)
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Leverand?rDevicePackage
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SOT-563
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Serie
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-
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Modstand-Emitterbase(R2)
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10kOhms
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Modstand-Base(R1)
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10kOhms
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Str?m-Max
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500mW
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Emballage
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Tape&Reel(TR)
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Pakke/tilf?lde
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SOT-563,SOT-666
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Andrenavne
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NSBA114EDXV6T1G-ND/NSBA114EDXV6T1GOSTR
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Monteringstype
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SurfaceMount
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Fugtf?lsomhedsniveau(MSL)
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1(Unlimited)
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BlyfriStatus/RoHSStatus
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Leadfree/RoHSCompliant
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Frekvens-Overgang
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-
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Detaljeretbeskrivelse
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Pre-BiasedBipolarTransistor(BJT)2PNP-Pre-Biased(Dual)50V100mA500mWSurfaceMountSOT-563
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DCCurrentGain(hFE)(Min)@Ic,Vce
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35@5mA,10V
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Nuv?rende-CollectorCutoff(Max)
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500nA
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Nuv?rende-Samler(Ic)(Max)
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100mA
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Basenummer
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NSBA1*
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