QS8M12TCR
型號(hào): QS8M12TCR
品牌: 英飛凌
類別: FET/MOSFET 陣列
描述: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
品牌官網(wǎng): www.infineon.com
- 賣盤信息
- 參數(shù)
- 常見(jiàn)問(wèn)題
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
FET類型
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N和P溝道
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不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值)
|
2.5V@1mA
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不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)
|
250pF@10V
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不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)
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3.4nC@5V
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不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值)
|
42毫歐@4A,10V
|
功率-最大值
|
1.5W
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安裝類型
|
表面貼裝
|
工作溫度
|
150°C(TJ)
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漏源極電壓(Vdss)
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30V
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電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí))
|
4A
|
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