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NSBA123JDXV6T1

型號： NSBA123JDXV6T1

類別： 帶預(yù)偏置雙極型晶體管陣列

描述： Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP SEPARATE 2ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 80 @ 5mA 10V 100mA 500mW 50V

品牌官網(wǎng)： www.rocelec.cn

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拍明芯城的訂單可以提供合同嗎?

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參數(shù) 數(shù)值
MountingType
SurfaceMount
TransistorElementMaterial
SILICON
TerminalFinish
MATTETIN
PeakReflowTemperature(Cel)
260
Time@PeakReflowTemperature-Max...
40
Configuration
SEPARATE,2ELEMENTSWITHBUILT-INRESISTOR
TransistorApplication
SWITCHING
VceSaturation(Max)@Ib,Ic
250mV@300μA,10mA
PartStatus
Obsolete
MoistureSensitivityLevel(MSL)
1(Unlimited)
TerminalForm
FLAT
PinCount
6
QualificationStatus
COMMERCIAL
TransistorType
2PNP-Pre-Biased(Dual)
Resistor-EmitterBase(R2)
47kΩ
RoHSStatus
ROHS3Compliant
Package/Case
SOT-563,SOT-666
Packaging
Tape&Reel(TR)
JESD-609Code
e3
NumberofTerminations
6
JESD-30Code
R-PDSO-F6
DCCurrentGain(hFE)(Min)@Ic,Vce
80@5mA10V
Current-CollectorCutoff(Max)
500nA
Voltage-CollectorEmitterBreakd...
50V
Resistor-Base(R1)
2.2kΩ
SurfaceMount
YES
PbfreeCode
yes
AdditionalFeature
BUILTINBIASRESISTORRATIOIS0.047
NumberofElements
2
Power-Max
500mW
Polarity/ChannelType
PNP
Current-Collector(Ic)(Max)
100mA