LET9060C
型號(hào): LET9060C
品牌: 信盛精工
類別: 射頻用FET/MOSFET
描述: MOSFET N-CH 80V 12A M-243
品牌官網(wǎng): www.stm.com.tw
- 賣盤信息
- 參數(shù)
- 常見問(wèn)題
參數(shù) | 數(shù)值 |
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文檔
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LET9060CViewAllSpecifications
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其他相關(guān)文件
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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25
|
增益
|
18dB
|
電壓-測(cè)試
|
28V
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電流-測(cè)試
|
400mA
|
Power-輸出功率
|
75W
|
電壓-額定
|
80V
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包/盒
|
M243
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包裝材料
|
Bulk
|
供應(yīng)商封裝形式
|
CaseM-243
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歐盟RoHS指令
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Compliant
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輸出功率
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75(Typ)
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最低工作溫度
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-65
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TypicalDrainEfficiency
|
70
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渠道類型
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N
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典型功率增益
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18
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典型輸入電容@VDS
|
77@28V
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引腳數(shù)
|
3
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單位包
|
25
|
供應(yīng)商設(shè)備封裝
|
M243
|
封裝
|
Bulk
|
功率-輸出
|
75W
|
RoHS指令
|
Leadfree/RoHSCompliant
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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產(chǎn)品種類
|
TransistorsRFMOSFET
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晶體管極性
|
N-Channel
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源極擊穿電壓
|
15V
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連續(xù)漏極電流
|
12A
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輸出功率
|
90W
|
包裝類型
|
CaseM-243
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篩選等級(jí)
|
Military
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弧度硬化
|
No
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頻率(最大)
|
1000MHz
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正向跨導(dǎo)(典型值)
|
2.5(Min)S
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輸入電容(典型值)@VDS
|
77@28VpF
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功率增益(典型值)@VDS
|
18dB
|
漏極效率(典型值)
|
70%
|
反向電容(典型值)
|
1.2@28VpF
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功率耗散(最大)
|
130000mW
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工廠包裝數(shù)量
|
50
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類型
|
RFPowerMOSFET
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系列
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LET9060
|
Id-ContinuousDrainCurrent
|
12A
|
Pd-PowerDissipation
|
130W
|
Vds-Drain-SourceBreakdownVolta...
|
80V
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平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的?
平臺(tái)商品來(lái)源有保障嗎?
平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎?
平臺(tái)支持BOM詢價(jià)嗎?
平臺(tái)下單后什么時(shí)候能發(fā)貨?多久能到?
拍明芯城的訂單如何跟蹤?
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