LET20030C
型號(hào): LET20030C
類別: 射頻用FET/MOSFET
描述: MOSF RF PWR N CH 80V LDMOST M243
品牌官網(wǎng): www.stm.com.tw
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的?
平臺(tái)商品來源有保障嗎?
平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎?
平臺(tái)支持BOM詢價(jià)嗎?
平臺(tái)下單后什么時(shí)候能發(fā)貨?多久能到?
拍明芯城的訂單如何跟蹤?
拍明芯城的訂單可以提供合同嗎?
拍明芯城的發(fā)票如何開具?
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
文檔
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LET20030CViewAllSpecifications
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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25
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增益
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13.9dB
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電壓
-Test
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28V
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當(dāng)前
Rating
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9A
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噪聲系數(shù)
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13.9dB@2GHz
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當(dāng)前
-Test
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400mA
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Power-輸出功率
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45W
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電壓-額定
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80V
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包/盒
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M243
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供應(yīng)商器件封裝
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M243
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包裝材料
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Bulk
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動(dòng)態(tài)目錄
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RFHEMT,HFET,LDMOSFETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17310?mpart=LET20030C&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名稱;
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供應(yīng)商封裝形式
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CaseM-243
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歐盟RoHS指令
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Compliant
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輸出功率
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45(Typ)
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最低工作溫度
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-65
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TypicalDrainEfficiency
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50
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渠道類型
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N
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典型功率增益
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13.9
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最大漏源電壓
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80
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典型輸入電容@VDS
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58@28V
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最大功率耗散
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108000
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引腳數(shù)
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3
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供應(yīng)商設(shè)備封裝
|
M243
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電壓-測(cè)試
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28V
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封裝
|
Bulk
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封裝/外殼
|
M243
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電流-測(cè)試
|
400mA
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功率-輸出
|
45W
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其他名稱
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497-13531
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RoHS指令
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Leadfree/RoHSCompliant
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安裝風(fēng)格
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SMD/SMT
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晶體管極性
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N-Channel
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源極擊穿電壓
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80V
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輸出功率
|
45W
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類型
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RFPowerMOSFET
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Vds-Drain-SourceBreakdownVolta...
|
75V
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工廠包裝數(shù)量
|
50
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系列
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LET20030
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Id-ContinuousDrainCurrent
|
160A
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Pd-PowerDissipation
|
108W
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