SIDR5802EP-T1-RE3
型號(hào): SIDR5802EP-T1-RE3
類別: FET/MOSFET 單體
描述: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
品牌官網(wǎng): www.vishay.com
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- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
ProductCategory
|
Transistors-FETs,MOSFETs-Single
|
Current-ContinuousDrain(Id)@25...
|
34.2A(Ta),153A(Tc)
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DraintoSourceVoltage(Vdss)
|
80V
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DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn...
|
7.5V,10V
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GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
|
60nC@10V
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InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vd...
|
3020pF@40V
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OperatingTemperature
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-55°C~175°C(TJ)
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Package/Case
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PowerPAK?SO-8
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PowerDissipation(Max)
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7.5W(Ta),150W(Tc)
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ProductStatus
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Active
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RdsOn(Max)@Id,Vgs
|
2.9mOhm@20A,10V
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SupplierDevicePackage
|
PowerPAK?SO-8DC
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Technology
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MOSFET(MetalOxide)
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Vgs(Max)
|
±20V
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Vgs(th)(Max)@Id
|
4V@250μA
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