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IXFK21N100F
加入對比型號： IXFK21N100F
類別： FET/MOSFET 單體
描述： IXYS RF IXFK21N100F RF FET Transistor, 1 kV, 21 A, 500 W, 500 kHz, TO-264
品牌官網(wǎng)：
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-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
FactoryLeadTime
|
10Weeks
|
|
Package/Case
|
TO-264-3,TO-264AA
|
|
SurfaceMount
|
NO
|
|
NumberofPins
|
3
|
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TransistorElementMaterial
|
SILICON
|
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OperatingTemperature
|
-55°C~150°CTJ
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Packaging
|
Tube
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Published
|
2002
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Series
|
HiPerRF?
|
|
PbfreeCode
|
yes
|
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PartStatus
|
Obsolete
|
|
MoistureSensitivityLevel(MSL)
|
1(Unlimited)
|
|
NumberofTerminations
|
3
|
|
ECCNCode
|
EAR99
|
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AdditionalFeature
|
AVALANCHERATED
|
|
Subcategory
|
FETGeneralPurposePower
|
|
Technology
|
MOSFET(MetalOxide)
|
|
PeakReflowTemperature(Cel)
|
NOTSPECIFIED
|
|
Time@PeakReflowTemperature-Max...
|
NOTSPECIFIED
|
|
PinCount
|
3
|
|
QualificationStatus
|
NotQualified
|
|
NumberofElements
|
1
|
|
PowerDissipation-Max
|
500WTc
|
|
ElementConfiguration
|
Single
|
|
OperatingMode
|
ENHANCEMENTMODE
|
|
PowerDissipation
|
500W
|
|
CaseConnection
|
DRAIN
|
|
TransistorApplication
|
SWITCHING
|
|
RdsOn(Max)@Id,Vgs
|
500mΩ@10.5A,10V
|
|
Vgs(th)(Max)@Id
|
5.5V@4mA
|
|
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vd...
|
5500pF@25V
|
|
Current-ContinuousDrain(Id)@25...
|
21ATc
|
|
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
|
160nC@10V
|
|
RiseTime
|
16ns
|
|
DraintoSourceVoltage(Vdss)
|
1000V
|
|
DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn...
|
10V
|
|
Vgs(Max)
|
±20V
|
|
FallTime(Typ)
|
15ns
|
|
Turn-OffDelayTime
|
55ns
|
|
ContinuousDrainCurrent(ID)
|
21A
|
|
GatetoSourceVoltage(Vgs)
|
20V
|
|
Drain-sourceOnResistance-Max
|
0.5Ohm
|
|
DraintoSourceBreakdownVoltage
|
1kV
|
|
PulsedDrainCurrent-Max(IDM)
|
84A
|
|
AvalancheEnergyRating(Eas)
|
2500mJ
|
|
REACHSVHC
|
NoSVHC
|
|
RoHSStatus
|
RoHSCompliant
|