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型號： FMM150-0075X2F

品牌： IXYS / LITTELFUSE

描述： FMM150-0075X2F datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from IXYS stock available at HK JDW

品牌官網(wǎng)：

平臺購物流程是怎樣的？

注冊/登錄 --搜索型號 --加入購物車/直接購買 -- 填寫并核對訂單--提交訂單 -- 待訂單審核-- 下載合同-- 合同蓋章上傳-- 付款-- 待收貨 -- 確認收貨--申請開票

平臺商品來源有保障嗎？

拍明芯城設有專業(yè)的渠道管理部，對商家（原廠/代理資質）進行嚴格的資質審核，商家通過資質審核方可擁有上架商品權限；拍明芯城比任何一位客戶都注重商品的渠道和質量，所售商品100%經(jīng)平臺驗貨，確保100%正品！您可以放心選購。

平臺上展示的商品數(shù)量、價格及相關信息準確嗎？

平臺上的商品信息均是經(jīng)過拍明芯城嚴格篩選過濾的真實供貨信息，您可以放心選購，如果您喜歡的寶貝放入了購物車，請及時下單和付款，避免緊缺現(xiàn)貨被其他買家搶先買走。您下單后，您也可以催促客服盡快交付貨物。

平臺支持BOM詢價嗎?

拍明芯城提供BOM配單一站式服務，您可以注冊/登錄后在"會員中心-詢價單"中上傳BOM進行批量詢價。您也可以選擇一對一專屬客服服務。

平臺下單后什么時候能發(fā)貨？多久能到？

拍明芯城的每條供貨信息均提供了交貨時間，您可選擇滿足您要求的交貨時間來下單，我們會接單并收款后嚴格按照承諾的交期給您發(fā)貨。

拍明芯城的訂單如何跟蹤?

您可以在“買家訂單”中非常便捷的查看和跟蹤訂單實時狀態(tài)，包括合同/物流/資金/發(fā)票等信息。我們也支持郵件、短信通知的方式。如對訂單交貨期有任何疑問，您還可以隨時在線聯(lián)系平臺客服或致電400-693-8369咨詢客服。

拍明芯城的訂單可以提供合同嗎?

可以。您在拍明芯城網(wǎng)站提交的訂單審核通過后，即可在“會員中心”-“買家訂單”中下載交易合同和上傳蓋章后的合同。該合同為雙方訂單的契約合同，具有法律效力。

拍明芯城的發(fā)票如何開具?

拍明芯城根據(jù)稅務局的要求按照訂單明細為買家開具發(fā)票，請您確?！皶T信息”-“我的發(fā)票”里的發(fā)票信息正確無誤。

參數(shù)	數(shù)值
FactoryLeadTime	30Weeks
Mount	ThroughHole
Package/Case	ISOPLUSi5-Pak?
TransistorElementMaterial	SILICON
OperatingTemperature	-55°C~175°CTJ
Packaging	Tube
Published	2009
Series	HiPerFET?,TrenchT2?
JESD-609Code	e1
PbfreeCode	yes
PartStatus	Active
MoistureSensitivityLevel(MSL)	1(Unlimited)
NumberofTerminations	5
ECCNCode	EAR99
TerminalFinish	TINSILVERCOPPER
AdditionalFeature	AVALANCHERATED,ULRECOGNIZED
Subcategory	FETGeneralPurposePower
MaxPowerDissipation	170W
TerminalPosition	SINGLE
PinCount	5
JESD-30Code	R-PSIP-T5
NumberofElements	2
OperatingMode	ENHANCEMENTMODE
PowerDissipation	170W
CaseConnection	ISOLATED
TransistorApplication	SWITCHING
RdsOn(Max)@Id,Vgs	5.8mΩ@100A,10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V@250μA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vd...	10500pF@25V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	178nC@10V
DraintoSourceVoltage(Vdss)	75V
ContinuousDrainCurrent(ID)	120A
Drain-sourceOnResistance-Max	0.0058Ohm
PulsedDrainCurrent-Max(IDM)	500A
DSBreakdownVoltage-Min	75V
AvalancheEnergyRating(Eas)	850mJ
FETTechnology	METAL-OXIDESEMICONDUCTOR
FETFeature	Standard
RadiationHardening	No
RoHSStatus	ROHS3Compliant

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