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FMM150-0075X2F

型號(hào)： FMM150-0075X2F

類別： FET/MOSFET 陣列

描述： FMM150-0075X2F datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from IXYS stock available at HK JDW

品牌官網(wǎng)：

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平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的？

注冊(cè)/登錄 --搜索型號(hào) --加入購(gòu)物車/直接購(gòu)買 -- 填寫并核對(duì)訂單--提交訂單 -- 待訂單審核-- 下載合同-- 合同蓋章上傳-- 付款-- 待收貨 -- 確認(rèn)收貨--申請(qǐng)開(kāi)票

平臺(tái)商品來(lái)源有保障嗎？

拍明芯城設(shè)有專業(yè)的渠道管理部，對(duì)商家（原廠/代理資質(zhì)）進(jìn)行嚴(yán)格的資質(zhì)審核，商家通過(guò)資質(zhì)審核方可擁有上架商品權(quán)限；拍明芯城比任何一位客戶都注重商品的渠道和質(zhì)量，所售商品100%經(jīng)平臺(tái)驗(yàn)貨，確保100%正品！您可以放心選購(gòu)。

平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎？

平臺(tái)上的商品信息均是經(jīng)過(guò)拍明芯城嚴(yán)格篩選過(guò)濾的真實(shí)供貨信息，您可以放心選購(gòu)，如果您喜歡的寶貝放入了購(gòu)物車，請(qǐng)及時(shí)下單和付款，避免緊缺現(xiàn)貨被其他買家搶先買走。您下單后，您也可以催促客服盡快交付貨物。

平臺(tái)支持BOM詢價(jià)嗎?

拍明芯城提供BOM配單一站式服務(wù)，您可以注冊(cè)/登錄后在"會(huì)員中心-詢價(jià)單"中上傳BOM進(jìn)行批量詢價(jià)。您也可以選擇一對(duì)一專屬客服服務(wù)。

平臺(tái)下單后什么時(shí)候能發(fā)貨？多久能到？

拍明芯城的每條供貨信息均提供了交貨時(shí)間，您可選擇滿足您要求的交貨時(shí)間來(lái)下單，我們會(huì)接單并收款后嚴(yán)格按照承諾的交期給您發(fā)貨。

拍明芯城的訂單如何跟蹤?

您可以在“買家訂單”中非常便捷的查看和跟蹤訂單實(shí)時(shí)狀態(tài)，包括合同/物流/資金/發(fā)票等信息。我們也支持郵件、短信通知的方式。如對(duì)訂單交貨期有任何疑問(wèn)，您還可以隨時(shí)在線聯(lián)系平臺(tái)客服或致電400-693-8369咨詢客服。

拍明芯城的訂單可以提供合同嗎?

可以。您在拍明芯城網(wǎng)站提交的訂單審核通過(guò)后，即可在“會(huì)員中心”-“買家訂單”中下載交易合同和上傳蓋章后的合同。該合同為雙方訂單的契約合同，具有法律效力。

拍明芯城的發(fā)票如何開(kāi)具?

拍明芯城根據(jù)稅務(wù)局的要求按照訂單明細(xì)為買家開(kāi)具發(fā)票，請(qǐng)您確保“會(huì)員信息”-“我的發(fā)票”里的發(fā)票信息正確無(wú)誤。
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參數(shù) 數(shù)值
FactoryLeadTime
30Weeks
Mount
ThroughHole
Package/Case
ISOPLUSi5-Pak?
TransistorElementMaterial
SILICON
OperatingTemperature
-55°C~175°CTJ
Packaging
Tube
Published
2009
Series
HiPerFET?,TrenchT2?
JESD-609Code
e1
PbfreeCode
yes
PartStatus
Active
MoistureSensitivityLevel(MSL)
1(Unlimited)
NumberofTerminations
5
ECCNCode
EAR99
TerminalFinish
TINSILVERCOPPER
AdditionalFeature
AVALANCHERATED,ULRECOGNIZED
Subcategory
FETGeneralPurposePower
MaxPowerDissipation
170W
TerminalPosition
SINGLE
PinCount
5
JESD-30Code
R-PSIP-T5
NumberofElements
2
OperatingMode
ENHANCEMENTMODE
PowerDissipation
170W
CaseConnection
ISOLATED
TransistorApplication
SWITCHING
RdsOn(Max)@Id,Vgs
5.8mΩ@100A,10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V@250μA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vd...
10500pF@25V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
178nC@10V
DraintoSourceVoltage(Vdss)
75V
ContinuousDrainCurrent(ID)
120A
Drain-sourceOnResistance-Max
0.0058Ohm
PulsedDrainCurrent-Max(IDM)
500A
DSBreakdownVoltage-Min
75V
AvalancheEnergyRating(Eas)
850mJ
FETTechnology
METAL-OXIDESEMICONDUCTOR
FETFeature
Standard
RadiationHardening
No
RoHSStatus
ROHS3Compliant