原標題：虹半導體推出90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺 助力大容量MCU解決方案

近日，虹半導體宣布成功研發(fā)90納米（nm）超低漏電嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺，該平臺通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，顯著降低了嵌入式閃存的靜態(tài)功耗，同時提升了存儲密度與可靠性，為大容量微控制器單元（MCU）解決方案提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。這一突破標志著國產(chǎn)半導體工藝在低功耗、高集成度領(lǐng)域邁入新階段，有望加速物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、工業(yè)控制、汽車電子等場景的智能化升級。

技術(shù)突破：超低漏電與高密度存儲的平衡

1. 90納米工藝節(jié)點優(yōu)化
   虹半導體采用90納米制程，在成本與性能間實現(xiàn)最佳平衡。相比傳統(tǒng)130納米工藝，90納米可縮小芯片面積約40%，同時通過優(yōu)化光刻、蝕刻等關(guān)鍵步驟，減少晶體管漏電路徑，為低功耗設(shè)計奠定基礎(chǔ)。

2. 超低漏電技術(shù)革新

• 材料創(chuàng)新：引入高介電常數(shù)（High-k）柵介質(zhì)材料替代傳統(tǒng)二氧化硅，降低柵極漏電流；采用金屬柵極（Metal Gate）替代多晶硅，減少界面缺陷導致的漏電。

• 結(jié)構(gòu)優(yōu)化：通過淺溝槽隔離（STI）與超薄柵氧化層設(shè)計，進一步抑制寄生電容和漏電通道，使靜態(tài)功耗降低至行業(yè)領(lǐng)先水平（具體數(shù)據(jù)需參考官方發(fā)布）。

• 工藝控制：精準調(diào)控離子注入劑量與退火溫度，減少晶圓缺陷密度，提升閃存單元的耐久性（可達10萬次擦寫循環(huán)）與數(shù)據(jù)保持能力（25℃下20年數(shù)據(jù)保留）。

3. 嵌入式閃存集成方案
   該平臺支持單芯片集成大容量eFlash與邏輯電路，存儲密度較上一代提升30%，可實現(xiàn)4Mb至64Mb嵌入式閃存的靈活配置。這一特性使MCU無需外接獨立存儲芯片，顯著降低系統(tǒng)成本與PCB面積，同時提升數(shù)據(jù)讀寫速度與抗干擾能力。

應用場景：賦能低功耗高可靠MCU需求

1. 物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備

• 超長續(xù)航：超低漏電設(shè)計使MCU在待機模式下功耗降至微瓦級，延長電池壽命至10年以上（如智能水表、燃氣表）。

• 安全存儲：集成硬件加密引擎與高可靠性eFlash，保障設(shè)備固件與敏感數(shù)據(jù)的安全存儲，抵御側(cè)信道攻擊。

2. 工業(yè)控制與自動化

• 高溫穩(wěn)定性：工藝平臺支持-40℃至125℃寬溫工作范圍，滿足工業(yè)電機驅(qū)動、PLC等嚴苛環(huán)境需求。

• 實時響應：大容量eFlash可存儲復雜控制算法，配合低延遲讀寫性能，提升系統(tǒng)實時性與控制精度。

3. 汽車電子

• 功能安全：符合AEC-Q100 Grade 1標準，通過ECC糾錯、冗余存儲等技術(shù)提升數(shù)據(jù)可靠性，適用于車身控制模塊（BCM）、電池管理系統(tǒng)（BMS）等安全關(guān)鍵應用。

• 成本優(yōu)化：單芯片集成方案減少汽車電子BOM成本，助力車企應對缺芯挑戰(zhàn)與降本壓力。

行業(yè)影響：推動國產(chǎn)MCU生態(tài)升級

1. 技術(shù)自主可控
   虹半導體90納米eFlash工藝平臺的推出，填補了國內(nèi)在超低漏電嵌入式存儲領(lǐng)域的技術(shù)空白，減少對國際廠商的依賴，為國產(chǎn)MCU廠商提供差異化競爭利器。

2. 生態(tài)協(xié)同效應
   該平臺已與多家主流MCU設(shè)計公司完成適配，支持ARM Cortex-M系列、RISC-V內(nèi)核的快速移植，縮短產(chǎn)品開發(fā)周期。同時，虹半導體提供完整的IP庫與設(shè)計服務，降低客戶研發(fā)門檻。

3. 市場拓展空間
   據(jù)市場研究機構(gòu)預測，2025年全球低功耗MCU市場規(guī)模將超200億美元，其中物聯(lián)網(wǎng)與汽車電子占比超60%。虹半導體的技術(shù)突破有望助力國產(chǎn)MCU在這一高增長賽道搶占份額。

未來展望：邁向更先進制程與智能化

虹半導體表示，下一步將基于90納米平臺開發(fā)AI加速單元集成方案，通過在MCU中嵌入輕量化神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器（NPU），實現(xiàn)邊緣端語音識別、圖像處理等智能功能。同時，公司正研發(fā)55納米超低漏電工藝，目標將嵌入式閃存密度提升至128Mb以上，進一步滿足自動駕駛、AR/VR等高端應用需求。

結(jié)語
虹半導體90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺的發(fā)布，不僅是國產(chǎn)半導體工藝的一次重要躍遷，更為低功耗、高可靠MCU的普及提供了核心支撐。隨著物聯(lián)網(wǎng)與智能化浪潮的持續(xù)推進，這一技術(shù)突破將加速推動千行百業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型，助力中國半導體產(chǎn)業(yè)在全球競爭中占據(jù)更有利位置。