原標(biāo)題：韓媒：三星李在镕親征荷蘭 ASML，與臺(tái)積電爭(zhēng)搶 EUV 光刻機(jī)設(shè)備

一、事件核心：三星董事長(zhǎng)李在镕赴ASML總部，爭(zhēng)奪EUV光刻機(jī)優(yōu)先供貨權(quán)

事件背景：

• EUV光刻機(jī)：極紫外光刻機(jī)（Extreme Ultraviolet Lithography）是7nm及以下先進(jìn)制程芯片制造的核心設(shè)備，全球僅荷蘭ASML公司能夠生產(chǎn)；

• 產(chǎn)能稀缺：ASML年產(chǎn)量?jī)H約60臺(tái)，單臺(tái)價(jià)格超1.5億美元，且需提前2-3年預(yù)訂；

• 競(jìng)爭(zhēng)格局：臺(tái)積電占據(jù)ASML約60%的EUV設(shè)備訂單，三星僅獲約20%，導(dǎo)致其在先進(jìn)制程上落后于臺(tái)積電。

李在镕此行目的：

• 爭(zhēng)取優(yōu)先供貨：要求ASML將2024-2025年部分EUV設(shè)備訂單向三星傾斜；

• 技術(shù)合作深化：推動(dòng)ASML與三星聯(lián)合研發(fā)下一代High-NA EUV光刻機(jī)（計(jì)劃2025年量產(chǎn)）；

• 地緣政治博弈：借助荷蘭與韓國(guó)的盟友關(guān)系，對(duì)抗美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口管制對(duì)ASML產(chǎn)能分配的影響。

類比說(shuō)明：
EUV光刻機(jī)相當(dāng)于芯片制造領(lǐng)域的“光刻機(jī)中的核武器”，三星與臺(tái)積電的爭(zhēng)奪如同“兩軍搶奪戰(zhàn)略武器”，直接決定未來(lái)3-5年的技術(shù)話語(yǔ)權(quán)。

二、技術(shù)解析：EUV光刻機(jī)為何成為“兵家必爭(zhēng)之地”？

1. EUV光刻機(jī)的核心價(jià)值

• 制程突破：實(shí)現(xiàn)7nm、5nm、3nm等先進(jìn)制程的關(guān)鍵，傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)無(wú)法完成；

• 成本降低：?jiǎn)未纹毓馔瓿啥鄬与娐酚∷ⅲ瑴p少工藝步驟（如臺(tái)積電5nm制程比7nm減少30%掩膜版）；

• 性能提升：芯片晶體管密度提升80%，功耗降低30%（如蘋(píng)果A16芯片性能較A14提升40%）。

2. ASML的壟斷地位

• 技術(shù)壁壘：EUV光刻機(jī)需集成10萬(wàn)個(gè)精密零件，供應(yīng)鏈涉及5000家供應(yīng)商；

• 產(chǎn)能限制：ASML年產(chǎn)能僅60臺(tái)，擴(kuò)產(chǎn)需投資20億美元/年；

• 客戶優(yōu)先級(jí)：臺(tái)積電（占ASML訂單60%）、英特爾（20%）、三星（15%）形成“三國(guó)殺”。

3. 高NA EUV光刻機(jī)的未來(lái)

• 技術(shù)迭代：High-NA EUV將分辨率提升至8nm（當(dāng)前EUV為13nm），支持2nm及以下制程；

• 成本飆升：?jiǎn)闻_(tái)價(jià)格預(yù)計(jì)超4億美元，三星需提前鎖定產(chǎn)能以維持技術(shù)領(lǐng)先。

三、行業(yè)影響：三星與臺(tái)積電的“軍備競(jìng)賽”

1. 三星的戰(zhàn)略意圖

• 追趕臺(tái)積電：臺(tái)積電已安裝超80臺(tái)EUV設(shè)備，三星僅30臺(tái)，導(dǎo)致3nm制程良率差距（臺(tái)積電>70%，三星<50%）；

• 客戶爭(zhēng)奪：吸引高通、英偉達(dá)等客戶轉(zhuǎn)移訂單（如三星計(jì)劃2024年量產(chǎn)3nm GAA工藝）；

• 政府支持：韓國(guó)政府承諾提供1萬(wàn)億韓元補(bǔ)貼，支持三星擴(kuò)大EUV設(shè)備采購(gòu)。

2. 臺(tái)積電的應(yīng)對(duì)策略

• 產(chǎn)能綁定：與ASML簽訂2023-2025年優(yōu)先供貨協(xié)議，確保每年新增20臺(tái)EUV設(shè)備；

• 技術(shù)護(hù)城河：提前布局High-NA EUV測(cè)試線，計(jì)劃2025年量產(chǎn)2nm芯片；

• 地緣優(yōu)勢(shì)：美國(guó)亞利桑那州工廠可規(guī)避部分出口管制，吸引蘋(píng)果等客戶。

3. ASML的平衡術(shù)

• 政治風(fēng)險(xiǎn)：需同時(shí)滿足美國(guó)（要求限制對(duì)華出口）、歐盟（本地化生產(chǎn)）和客戶（三星、臺(tái)積電）的需求；

• 產(chǎn)能分配：2024年計(jì)劃生產(chǎn)65臺(tái)EUV，其中臺(tái)積電35臺(tái)、英特爾15臺(tái)、三星10臺(tái)、其他5臺(tái)；

• 技術(shù)開(kāi)放：向三星開(kāi)放High-NA EUV聯(lián)合研發(fā)，換取其支持荷蘭半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策。

四、地緣政治與供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)

1. 美國(guó)對(duì)華出口管制的影響

• ASML受限：2023年起禁止向中國(guó)出口EUV設(shè)備，DUV設(shè)備也面臨限制；

• 產(chǎn)能釋放：原計(jì)劃銷(xiāo)往中國(guó)的10臺(tái)EUV設(shè)備轉(zhuǎn)向三星、臺(tái)積電，但需重新談判價(jià)格與交付周期；

• 反噬效應(yīng)：中國(guó)加速光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化（上海微電子28nm DUV即將量產(chǎn)），長(zhǎng)期或削弱ASML壟斷地位。

2. 韓國(guó)的“半導(dǎo)體自立”戰(zhàn)略

• 政策扶持：2022年通過(guò)《K-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶法案》，提供260億美元稅收優(yōu)惠；

• 本土化目標(biāo)：計(jì)劃2030年將EUV光刻機(jī)零部件國(guó)產(chǎn)化率從10%提升至50%；

• 風(fēng)險(xiǎn)對(duì)沖：與日本東京電子合作開(kāi)發(fā)光刻膠等材料，減少對(duì)ASML供應(yīng)鏈依賴。

3. 全球半導(dǎo)體格局重構(gòu)

• 三國(guó)鼎立：美國(guó)（設(shè)計(jì)）、東亞（制造）、歐洲（設(shè)備）形成新三角關(guān)系；

• 技術(shù)分裂：先進(jìn)制程設(shè)備與材料可能形成“西方聯(lián)盟”與“中國(guó)體系”兩大陣營(yíng)；

• 成本上升：EUV設(shè)備漲價(jià)、物流延遲等因素將推高芯片價(jià)格（預(yù)計(jì)2024年漲價(jià)10%-15%）。

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五、未來(lái)展望：EUV光刻機(jī)之戰(zhàn)的勝負(fù)手

1. 短期（2024-2025年）

• 三星能否突圍：若獲得ASML新增15臺(tái)EUV訂單，3nm良率有望提升至60%，威脅臺(tái)積電地位；

• 臺(tái)積電防御戰(zhàn)：通過(guò)High-NA EUV量產(chǎn)2nm芯片，鞏固高端市場(chǎng)話語(yǔ)權(quán)。

2. 中期（2026-2030年）

• 技術(shù)代差：High-NA EUV普及后，未掌握該技術(shù)的廠商將被擠出先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)；

• 中國(guó)破局：若上海微電子等企業(yè)突破28nm DUV技術(shù)，可能倒逼ASML放寬對(duì)華出口。

3. 長(zhǎng)期（2030年+）

• 新光刻技術(shù)：電子束光刻（EBL）、納米壓?。∟IL）等技術(shù)可能替代EUV；

• 供應(yīng)鏈重構(gòu)：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向東南亞、印度等地區(qū)分散，降低地緣風(fēng)險(xiǎn)。

六、結(jié)論：EUV光刻機(jī)——半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)的“原子彈”

李在镕親征ASML，本質(zhì)是三星在技術(shù)主權(quán)爭(zhēng)奪戰(zhàn)中的關(guān)鍵一役。這場(chǎng)博弈的輸贏，將決定：

1. 全球半導(dǎo)體話語(yǔ)權(quán)：三星能否從“代工廠”升級(jí)為“技術(shù)定義者”；

2. 地緣政治籌碼：韓國(guó)能否在中美競(jìng)爭(zhēng)中保持戰(zhàn)略自主；

3. 產(chǎn)業(yè)鏈安全：全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?zhǔn)欠駮?huì)走向“碎片化”。

最終啟示：
EUV光刻機(jī)之戰(zhàn)不僅是商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，更是國(guó)家科技實(shí)力的象征。對(duì)于中國(guó)而言，加速光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化、突破“卡脖子”技術(shù)，是避免未來(lái)被徹底排除在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈之外的關(guān)鍵。