原標題：IC Insights ：中國對純晶圓服務需求旺盛，銷量將增長26％

一、核心數(shù)據(jù)與趨勢解讀

IC Insights預測：2023-2024年中國對純晶圓代工服務的需求將以26%的復合年增長率（CAGR）擴張，遠超全球平均增速（約12%）。這一數(shù)據(jù)反映中國半導體產(chǎn)業(yè)在國產(chǎn)化替代、新興技術驅動和供應鏈重構三大邏輯下的爆發(fā)式增長。

類比說明：
若將全球晶圓代工市場比作“蛋糕”，中國需求的增速相當于每年多切走1/4份額，而傳統(tǒng)市場（如歐美）增速僅為“分食剩余蛋糕”。

二、驅動因素分析

1. 國產(chǎn)化替代浪潮

• 政策推動：中國“十四五”規(guī)劃要求2025年芯片自給率達70%（2021年僅16%），催生本土晶圓代工需求。

• 企業(yè)行動：中芯國際、華虹半導體等本土廠商擴產(chǎn)28nm及以上成熟制程（如中芯深圳廠2024年產(chǎn)能達4萬片/月），填補中低端市場空白。

2. 新興技術需求

• 5G/AIoT：聯(lián)發(fā)科、紫光展銳等廠商加大28nm射頻/電源管理芯片代工訂單（如華為海思轉單中芯國際）。

• 汽車電子：2023年中國新能源汽車銷量突破900萬輛，催生車規(guī)級MCU（如芯馳科技X9系列）和功率器件（IGBT）代工需求。

3. 供應鏈安全重構

• 地緣政治風險：美國對華為、長江存儲等制裁倒逼中國廠商將訂單從臺積電、三星轉向本土代工廠。

• 區(qū)域化布局：中芯國際天津廠（12英寸）、積塔半導體上海廠（8英寸）等新產(chǎn)能集中釋放，承接溢出需求。

三、細分市場表現(xiàn)

關鍵數(shù)據(jù)：

• 2023年中國28nm及以上成熟制程晶圓代工市場規(guī)模達120億美元，占全球份額的35%（2020年僅22%）。

• 功率器件代工需求中，SiC MOSFET訂單年增超60%（如比亞迪半導體擴產(chǎn)6英寸SiC產(chǎn)線）。

四、挑戰(zhàn)與風險

1. 技術瓶頸

• 設備依賴：光刻機等關鍵設備仍受ASML、應用材料等限制，中芯國際7nm以下制程推進緩慢。

• 良率差距：本土廠商28nm良率約85%（臺積電>95%），導致成本高企。

2. 產(chǎn)能過剩風險

• 盲目擴產(chǎn)：據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2023-2024年中國新增12英寸晶圓廠產(chǎn)能達80萬片/月，若需求不及預期可能引發(fā)價格戰(zhàn)。

• 結構性矛盾：高端制程（如7nm）產(chǎn)能不足，而成熟制程（如90nm）可能過剩。

3. 人才短缺

• 晶圓代工領域高端工程師缺口超5萬人，制約技術迭代速度。

五、未來展望與策略建議

1. 技術突破方向

• 成熟制程優(yōu)化：通過多重曝光、先進封裝（如CoWoS）提升28nm等效性能，對標臺積電16nm。

• 新材料應用：加速GaN、SiC功率器件代工能力（如三安光電6英寸SiC產(chǎn)線良率突破90%）。

2. 市場策略

• 綁定頭部客戶：中芯國際與中芯集成深度合作，鎖定新能源汽車、工業(yè)控制領域訂單。

• 差異化競爭：華虹半導體聚焦特色工藝（如BCD、eFlash），避開與臺積電正面競爭。

3. 政策建議

• 加大對本土設備廠商（如北方華創(chuàng)、中微公司）的研發(fā)投入，推動28nm設備國產(chǎn)化率至50%以上。

• 建立晶圓代工產(chǎn)能預警機制，避免重復建設。

六、結論

中國純晶圓代工需求的爆發(fā)是國產(chǎn)化替代、技術升級、供應鏈安全三重邏輯的必然結果。盡管面臨設備、良率、人才等挑戰(zhàn)，但通過技術迂回路線（如成熟制程優(yōu)化）和區(qū)域化布局，本土廠商有望在2025年前占據(jù)全球成熟制程市場的40%以上份額。對于全球半導體產(chǎn)業(yè)而言，中國需求的激增既是機遇（市場規(guī)模擴大），也是挑戰(zhàn)（技術競爭加?。?，需重新評估供應鏈戰(zhàn)略。