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功率器件應(yīng)該如何選擇和標(biāo)定?

來源: 中電網(wǎng)
2020-10-22
類別:技術(shù)信息
eye 22
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:功率器件應(yīng)該如何選擇和標(biāo)定?

功率器件的選擇和標(biāo)定是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接影響到系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。以下從選擇和標(biāo)定兩個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述:

一、功率器件的選擇

1. 明確應(yīng)用需求

在選擇功率器件之前,必須明確系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需求,包括但不限于:

  • 電壓等級:輸入/輸出電壓范圍、最大耐壓要求。

  • 電流等級:最大負(fù)載電流、瞬態(tài)電流能力。

  • 開關(guān)頻率:工作頻率范圍、開關(guān)損耗要求。

  • 環(huán)境條件:工作溫度范圍、散熱條件、濕度、振動(dòng)等。

  • 效率要求:系統(tǒng)對效率的敏感度。

  • 成本和體積:預(yù)算限制、空間限制。

2. 功率器件類型選擇

根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的功率器件類型:

  • 二極管:用于整流、續(xù)流等,需考慮正向壓降、反向恢復(fù)時(shí)間。

  • 晶閘管(SCR):適用于高壓、大電流場合,但開關(guān)速度較慢。

  • MOSFET:適用于中低電壓、高頻應(yīng)用,驅(qū)動(dòng)簡單,導(dǎo)通電阻低。

  • IGBT:適用于中高電壓、中低頻應(yīng)用,兼具M(jìn)OSFET的驅(qū)動(dòng)特性和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降。

  • SiC MOSFET/GaN HEMT:適用于高頻、高溫、高效率應(yīng)用,但成本較高。

3. 關(guān)鍵參數(shù)匹配

根據(jù)需求選擇器件的具體參數(shù):

  • 耐壓(Vds/Vces):器件的最大耐壓應(yīng)高于系統(tǒng)最高電壓,并留有一定裕量(通常1.5-2倍)。

  • 電流(Id/Ic):器件的額定電流應(yīng)高于最大負(fù)載電流,并考慮溫度降額和瞬態(tài)電流。

  • 導(dǎo)通電阻(Rds(on))或?qū)▔航担╒ce(sat)):影響導(dǎo)通損耗,需在成本和效率之間權(quán)衡。

  • 開關(guān)損耗(Eon/Eoff):高頻應(yīng)用中,開關(guān)損耗是主要損耗來源,需選擇低開關(guān)損耗的器件。

  • 熱阻(Rth)和結(jié)溫(Tj):確保器件在最高工作溫度下仍能可靠運(yùn)行,需合理設(shè)計(jì)散熱。

4. 驅(qū)動(dòng)和保護(hù)要求

  • 驅(qū)動(dòng)電路:根據(jù)器件類型選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路,如MOSFET需低阻抗驅(qū)動(dòng),IGBT需提供足夠的柵極電荷。

  • 保護(hù)功能:是否需要內(nèi)置過流、過壓、過溫保護(hù)功能,或通過外部電路實(shí)現(xiàn)。

5. 供應(yīng)商和成本

  • 供應(yīng)商信譽(yù):選擇知名供應(yīng)商,確保器件質(zhì)量和供貨穩(wěn)定性。

  • 成本:在滿足性能要求的前提下,選擇性價(jià)比高的器件。

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二、功率器件的標(biāo)定

1. 標(biāo)定的目的

  • 驗(yàn)證性能:確保器件在實(shí)際工作條件下滿足設(shè)計(jì)要求。

  • 優(yōu)化設(shè)計(jì):通過標(biāo)定數(shù)據(jù)調(diào)整電路參數(shù),提高系統(tǒng)效率。

  • 可靠性測試:評估器件在極限條件下的可靠性。

2. 標(biāo)定步驟

(1)靜態(tài)參數(shù)標(biāo)定
  • 導(dǎo)通特性

    • 測量導(dǎo)通電阻(Rds(on))或?qū)▔航担╒ce(sat))隨溫度和電流的變化。

    • 驗(yàn)證在不同負(fù)載電流下的導(dǎo)通損耗。

  • 漏電流

    • 測量反向漏電流(Ir)和柵極漏電流(Igss),確保在安全范圍內(nèi)。

(2)動(dòng)態(tài)參數(shù)標(biāo)定
  • 開關(guān)特性

    • 測量開通時(shí)間(ton)、關(guān)斷時(shí)間(toff)、上升時(shí)間(tr)、下降時(shí)間(tf)。

    • 評估開關(guān)損耗(Eon/Eoff)隨開關(guān)頻率和負(fù)載電流的變化。

  • 驅(qū)動(dòng)特性

    • 測量柵極電荷(Qg)、驅(qū)動(dòng)電流(Ig)和驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)的關(guān)系。

    • 優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路參數(shù),確??焖?、可靠的開關(guān)。

(3)熱特性標(biāo)定
  • 熱阻測量

    • 測量結(jié)到殼的熱阻(Rth(j-c))和殼到環(huán)境的熱阻(Rth(c-a))。

    • 通過熱成像儀或熱電偶測量器件在實(shí)際工作條件下的結(jié)溫。

  • 熱循環(huán)測試

    • 進(jìn)行多次熱循環(huán)測試,評估器件在溫度變化下的可靠性。

(4)可靠性測試
  • 壽命測試

    • 進(jìn)行高溫高濕(HTHB)、高溫反偏(HTRB)等加速壽命測試。

    • 評估器件在長期工作條件下的失效模式和壽命。

  • 極限條件測試

    • 測試器件在過壓、過流、短路等極限條件下的表現(xiàn),確保有足夠的保護(hù)機(jī)制。

(5)系統(tǒng)級標(biāo)定
  • 效率測試

    • 在不同負(fù)載條件下測量系統(tǒng)效率,優(yōu)化器件和電路參數(shù)。

  • EMC測試

    • 評估器件開關(guān)產(chǎn)生的電磁干擾(EMI),確保符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

3. 標(biāo)定工具和方法

  • 測試設(shè)備

    • 示波器、電流探頭、電壓探頭、電子負(fù)載、熱成像儀、功率分析儀等。

  • 仿真工具

    • 使用PSPICE、LTspice等仿真軟件進(jìn)行初步驗(yàn)證,減少實(shí)際標(biāo)定次數(shù)。

  • 自動(dòng)化測試

    • 編寫測試腳本,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化標(biāo)定,提高效率和準(zhǔn)確性。

4. 標(biāo)定報(bào)告

  • 記錄數(shù)據(jù)

    • 詳細(xì)記錄所有標(biāo)定數(shù)據(jù),包括測試條件、測試方法和結(jié)果。

  • 分析結(jié)果

    • 根據(jù)標(biāo)定數(shù)據(jù)評估器件性能,提出改進(jìn)建議。

  • 生成報(bào)告

    • 編寫標(biāo)定報(bào)告,供設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)和客戶參考。

三、總結(jié)

  1. 選擇功率器件時(shí),需綜合考慮應(yīng)用需求、器件類型、關(guān)鍵參數(shù)、驅(qū)動(dòng)和保護(hù)要求以及成本等因素。

  2. 標(biāo)定功率器件時(shí),需通過靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、熱特性和可靠性測試,驗(yàn)證器件性能并優(yōu)化設(shè)計(jì)。

  3. 合理選擇和標(biāo)定功率器件,能夠提高系統(tǒng)效率、可靠性和成本效益,是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

通過科學(xué)的選擇和嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臉?biāo)定,可以確保功率器件在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)揮最佳性能,滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求。


責(zé)任編輯:David

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