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eGaNFET實(shí)現(xiàn)98%效率、250 W/48 V的DC/DC解決方案, 用于超薄且有高密度的計(jì)算應(yīng)用

來(lái)源: 電子產(chǎn)品世界
2020-11-02
類(lèi)別:新品快報(bào)
eye 29
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:eGaNFET實(shí)現(xiàn)98%效率、250 W/48 V的DC/DC解決方案, 用于超薄且有高密度的計(jì)算應(yīng)用

eGaNFET(增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)通過(guò)實(shí)現(xiàn)98%效率、250 W/48 V的DC-DC轉(zhuǎn)換解決方案,正在推動(dòng)超薄、高密度計(jì)算應(yīng)用的發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)與性能突破

  • 高效率與高功率密度
    宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出的EPC9153演示板,采用250 W超薄電源模塊,峰值效率高達(dá)98.2%,元件最大厚度僅6.5毫米。該設(shè)計(jì)通過(guò)同步降壓配置,在20 V輸出時(shí)溫升低于40°C,顯著提升了散熱性能。

  • 高頻開(kāi)關(guān)與小型化
    eGaNFET的快速開(kāi)關(guān)特性使轉(zhuǎn)換器能夠在500 kHz頻率下工作,配合微型電感器(如Vishay公司的IHTH-1125KZ-5A),進(jìn)一步縮小了解決方案尺寸。這種高頻設(shè)計(jì)不僅減少了磁性元件的體積,還降低了整體系統(tǒng)成本。

  • 低損耗與熱管理
    eGaNFET的導(dǎo)通電阻(RDS(on))遠(yuǎn)低于硅MOSFET,顯著降低了開(kāi)關(guān)損耗。例如,EPC2001的RDS(on)為7 mΩ,EPC2021的RDS(on)為2.5 mΩ,使得在高頻下仍能保持高效。此外,eGaNFET的芯片級(jí)占位面積使其易于散熱,無(wú)需復(fù)雜的水冷系統(tǒng),進(jìn)一步簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。

應(yīng)用場(chǎng)景與市場(chǎng)影響

  • 超薄計(jì)算設(shè)備
    在計(jì)算機(jī)、顯示器和智能手機(jī)等消費(fèi)電子領(lǐng)域,eGaNFET技術(shù)使得設(shè)備在保持纖薄外形的同時(shí),能夠提供更高的功率輸出。例如,EPC9148演示板采用多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),元件最大厚度小于4毫米,峰值效率達(dá)98%,非常適合對(duì)空間要求極高的應(yīng)用。

  • 數(shù)據(jù)中心與AI加速
    隨著AI和HPC(高性能計(jì)算)的發(fā)展,處理器功耗急劇增加,48V配電系統(tǒng)成為主流。eGaNFET的高效轉(zhuǎn)換能力使得48V直接至負(fù)載(PoL)的轉(zhuǎn)換成為可能,減少了配電損耗,提高了系統(tǒng)效率。例如,Vicor的48V組件生態(tài)系統(tǒng)通過(guò)分比式電源架構(gòu),將電源分解為穩(wěn)壓及變壓功能,進(jìn)一步優(yōu)化了數(shù)據(jù)中心和AI加速器的電源管理。

  • 電動(dòng)汽車(chē)與混合動(dòng)力系統(tǒng)
    eGaNFET在48V/12V雙向轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用,使得輕度混合動(dòng)力汽車(chē)和備用電池裝置的體積和重量減少了超過(guò)35%,同時(shí)效率提高了超過(guò)1.5%。例如,EPC9163可提供2 kW的功率,效率達(dá)96.5%,非常適合需要高功率密度和小型化的車(chē)載應(yīng)用。

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行業(yè)趨勢(shì)與未來(lái)展望

  • 氮化鎵技術(shù)的普及
    隨著氮化鎵技術(shù)的成熟,eGaNFET的成本正在逐漸降低,商業(yè)應(yīng)用前景廣闊。例如,EPC公司正在擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列,為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。

  • 高頻化與集成化
    未來(lái),DC-DC轉(zhuǎn)換器將向更高頻率和更高集成度發(fā)展。eGaNFET的高頻開(kāi)關(guān)能力使其成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵技術(shù)。例如,EPC與ADI公司合作推出的EPC9160參考設(shè)計(jì),開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)2 MHz,尺寸僅為23 mm x 22 mm,展示了氮化鎵技術(shù)在小型化、高頻化方面的潛力。

  • 系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化
    除了器件本身的性能提升,系統(tǒng)級(jí)的優(yōu)化也至關(guān)重要。例如,Vicor的分比式電源架構(gòu)通過(guò)將電源分解為專(zhuān)門(mén)的穩(wěn)壓及變壓功能,實(shí)現(xiàn)了高密度、高效率


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