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ST第三季財(cái)報(bào)亮眼，進(jìn)軍射頻通信領(lǐng)域

來(lái)源：中電網(wǎng)

2020-11-09

類(lèi)別：業(yè)界動(dòng)態(tài)

拍明

原標(biāo)題：ST第三季財(cái)報(bào)亮眼，進(jìn)軍射頻通信領(lǐng)域

ST（意法半導(dǎo)體）在射頻通信領(lǐng)域的進(jìn)展可通過(guò)其財(cái)報(bào)及戰(zhàn)略布局窺見(jiàn)一斑，尤其在2024年第三季度后展現(xiàn)出強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭。以下為具體分析：

一、射頻通信領(lǐng)域的業(yè)務(wù)進(jìn)展

客戶(hù)合作與項(xiàng)目進(jìn)展
ST在射頻通信領(lǐng)域取得良好業(yè)績(jī)，參與客戶(hù)計(jì)劃進(jìn)展順利。在衛(wèi)星和蜂窩通信基礎(chǔ)設(shè)施等方面取得重要進(jìn)展，包括為SpaceX的Starlink提供下一代產(chǎn)品。
制造能力提升

持續(xù)轉(zhuǎn)變制造基地以實(shí)現(xiàn)未來(lái)增長(zhǎng)和盈利能力提升。
在硅碳化物領(lǐng)域，擴(kuò)大了前端器件生產(chǎn)，提高了后端制造能力，并在卡塔尼亞建立了新的硅碳化物基片制造工廠。
與三安光電公司合作，在中國(guó)建立了高產(chǎn)量的硅碳化物器件制造合資企業(yè)，計(jì)劃于2025年第四季度開(kāi)始生產(chǎn)。
推進(jìn)300毫米產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃，包括新的晶圓廠和歐洲Crolles制造設(shè)施。

二、市場(chǎng)表現(xiàn)與戰(zhàn)略布局

市場(chǎng)復(fù)蘇預(yù)期
盡管2024年第四季度面臨一些挑戰(zhàn)，但公司在全年仍取得了穩(wěn)健的增長(zhǎng)。2024年將受到工業(yè)庫(kù)存調(diào)整的短期影響，但下半年有望迎來(lái)顯著的復(fù)蘇。
組織結(jié)構(gòu)調(diào)整
公司正在不斷調(diào)整組織結(jié)構(gòu)以適應(yīng)市場(chǎng)變化，為未來(lái)的增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。

三、技術(shù)突破與行業(yè)影響

硅光技術(shù)布局
ST宣布面向數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來(lái)高性能的云光互連技術(shù)，包括高能效的硅光解決方案PIC100，以及BiCMOS工藝的B55和最新的B55X。這些技術(shù)具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，例如PIC100是目前市場(chǎng)上唯一能夠支持300毫米晶圓的單通道200 Gbps的純硅技術(shù)平臺(tái)。
應(yīng)用場(chǎng)景拓展

數(shù)據(jù)中心：硅光PIC100已被全球最大的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商和光收發(fā)器領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)采用。
芯片到芯片的GPU互連：硅光連接器在芯片互連領(lǐng)域具有重要應(yīng)用場(chǎng)景，可提升連接密度、降低功耗，并適合GPU的物理尺寸。
光互連跨阻放大器和激光驅(qū)動(dòng)器：BiCMOS是設(shè)計(jì)和制造低功耗、高可靠性的光互連跨阻放大器（TIA）和激光驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵技術(shù)。ST的BiCMOS B55和B55X工藝具有優(yōu)秀的低噪聲性能和線性度，是設(shè)計(jì)200 Gps/通道和400 Gps/通道光互連跨阻放大器和激光驅(qū)動(dòng)器的首選技術(shù)。

四、行業(yè)趨勢(shì)與未來(lái)展望

市場(chǎng)需求增長(zhǎng)
隨著AI及生成式AI的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)更高速率、更高帶寬、更高能效的解決方案的需求不斷增加。光通信行業(yè)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)LightCounting預(yù)測(cè)，100 GbE及更高速的以太網(wǎng)光芯片數(shù)量將快速增長(zhǎng)，其中硅光（SiPho）芯片的增長(zhǎng)最快。
技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

硅光技術(shù)：預(yù)計(jì)未來(lái)幾年，硅光在收發(fā)器市場(chǎng)中會(huì)占據(jù)最大份額，甚至有可能擠占傳統(tǒng)用于GPU短距離銅纜連接的市場(chǎng)份額。
CPO技術(shù)：芯片到芯片的GPU互連是共封裝光學(xué)（CPO）的一個(gè)重要應(yīng)用場(chǎng)景，需要密集型調(diào)制器、定制化的電芯片解決方案以及硅通孔（TSV）技術(shù)來(lái)限制損耗，并通過(guò)3D封裝技術(shù)提高集成密度。

責(zé)任編輯：David

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標(biāo)簽：射頻通信領(lǐng)域意法半導(dǎo)體