原標(biāo)題：什么是51單片機(jī)?又該如何自學(xué)51單片機(jī)?

DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是計(jì)算機(jī)中用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的核心組件，通過(guò)電容充放電實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，核心原理如下：

1. 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

• 組成：每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管（MOSFET）和一個(gè)電容器構(gòu)成。

• 工作機(jī)制：

• 電容器存儲(chǔ)電荷表示數(shù)據(jù)：有電荷 = 1，無(wú)電荷 = 0。

• 晶體管作為開(kāi)關(guān)，控制電容器與位線（Bit Line）的連接。

2. 寫(xiě)入數(shù)據(jù)

• 過(guò)程：

• 寫(xiě)入“1”：位線（BL）加高電壓，電容器充電。

• 寫(xiě)入“0”：位線（BL）加低電壓，電容器放電。

1. 激活行地址：通過(guò)行地址選通信號(hào)（RAS）選中目標(biāo)行。

2. 施加電壓：

3. 關(guān)閉晶體管：斷開(kāi)電容器與位線的連接，數(shù)據(jù)以電荷形式存儲(chǔ)。

3. 讀取數(shù)據(jù)

• 過(guò)程：

• 若電容器有電荷（存儲(chǔ)“1”），位線電壓升高。

• 若電容器無(wú)電荷（存儲(chǔ)“0”），位線電壓不變。

1. 激活行地址：通過(guò)RAS選中目標(biāo)行。

2. 連接位線：晶體管導(dǎo)通，電容器與位線連接。

3. 檢測(cè)電壓：

4. 放大信號(hào)：靈敏放大器檢測(cè)并放大位線電壓變化，恢復(fù)為邏輯電平。

5. 刷新數(shù)據(jù)：讀取后立即將數(shù)據(jù)寫(xiě)回電容器，補(bǔ)償電荷損失。

4. 刷新機(jī)制

• 原因：電容器存在漏電現(xiàn)象，電荷會(huì)隨時(shí)間流失。

• 方式：

• 周期性刷新：每隔數(shù)毫秒（如64ms內(nèi)刷新所有行），逐行讀取并重新寫(xiě)入數(shù)據(jù)。

• 刷新操作：通過(guò)行地址選通信號(hào)（RAS）激活目標(biāo)行，無(wú)需列地址。

5. 關(guān)鍵特性

• 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)：需定期刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)。

• 隨機(jī)訪問(wèn)：可按需訪問(wèn)任意存儲(chǔ)單元，無(wú)需順序讀取。

• 高集成度：?jiǎn)挝幻娣e存儲(chǔ)容量大，成本低。

總結(jié)

DRAM通過(guò)電容器的充放電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，晶體管控制數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。其核心挑戰(zhàn)在于電容漏電，需通過(guò)刷新機(jī)制維持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定性。這一設(shè)計(jì)使DRAM成為計(jì)算機(jī)主存的主流技術(shù)，平衡了性能、成本與容量需求。