輻射發(fā)射測試:如何避免采用復(fù)雜的EMI抑制技術(shù)以實(shí)現(xiàn)緊湊、高性價(jià)比的隔離設(shè)計(jì)


原標(biāo)題:輻射發(fā)射測試:如何避免采用復(fù)雜的EMI抑制技術(shù)以實(shí)現(xiàn)緊湊、高性價(jià)比的隔離設(shè)計(jì)
在輻射發(fā)射(RE)測試中,通過優(yōu)化隔離設(shè)計(jì)以避免采用復(fù)雜的EMI抑制技術(shù),同時(shí)實(shí)現(xiàn)緊湊、高性價(jià)比的設(shè)計(jì),可以從以下幾個(gè)方面入手:
一、選擇集成化解決方案
采用集成隔離電源模塊
使用集成變壓器和驅(qū)動(dòng)電路的芯片級解決方案(如ADI的isoPower?系列),通過內(nèi)部線圈對稱性和驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化,減少共模電流(CM電流)的輻射。優(yōu)勢:無需外部旁路電容,減少PCB空間占用,降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
案例:ADuM5020/ADuM5028在2層PCB上即可滿足CISPR 22/EN 55022 B類標(biāo)準(zhǔn),提供500mW和330mW功率。
利用芯片內(nèi)置輻射抑制技術(shù)
選擇具備內(nèi)置EMI抑制功能的隔離芯片,例如采用擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)降低特定頻率的輻射峰值,或通過優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)減少寄生參數(shù)。
二、優(yōu)化電路與布局設(shè)計(jì)
降低開關(guān)頻率與寄生參數(shù)
降低開關(guān)頻率:在滿足效率要求的前提下,降低開關(guān)頻率以減少高頻輻射。
減少寄生電容:通過優(yōu)化變壓器繞組布局,減少初級與次級之間的寄生電容,從而降低CM電流的容性耦合。
合理布局PCB
分離敏感信號線:將高頻信號線與低頻信號線分開布線,避免信號耦合。
縮短信號回路:減小信號回路的面積,降低輻射效率。
增加地平面:在PCB中添加完整的地平面,提供低阻抗回流路徑,減少輻射。
三、采用低成本輻射抑制技術(shù)
使用鐵氧體磁珠
在次級端添加鐵氧體磁珠,利用其高頻阻抗特性抑制輻射。優(yōu)勢:成本低、體積小,適合緊湊設(shè)計(jì)。
案例:ADI的isoPower?系列產(chǎn)品通過在次級端使用鐵氧體磁珠,進(jìn)一步降低輻射發(fā)射。
優(yōu)化旁路電容
選擇低ESR電容:使用等效串聯(lián)電阻(ESR)低的電容,提供更好的高頻濾波效果。
合理布局電容:將旁路電容盡可能靠近電源引腳,減少寄生電感。
四、設(shè)計(jì)階段的前期考慮
EMC設(shè)計(jì)前置
在產(chǎn)品設(shè)計(jì)初期就考慮EMC要求,避免后期因輻射發(fā)射問題導(dǎo)致設(shè)計(jì)反復(fù)。仿真分析:使用EMC仿真工具預(yù)測輻射發(fā)射水平,優(yōu)化設(shè)計(jì)方案。
標(biāo)準(zhǔn)預(yù)研:提前研究目標(biāo)市場的輻射發(fā)射標(biāo)準(zhǔn)(如CISPR 11/EN 55011、FCC Part 15),確保設(shè)計(jì)符合要求。
選擇合規(guī)組件
選用已經(jīng)通過EMC認(rèn)證的元器件,減少輻射發(fā)射風(fēng)險(xiǎn)。示例:選擇符合IEC 60950-1安全標(biāo)準(zhǔn)的隔離變壓器,降低設(shè)計(jì)合規(guī)難度。
五、創(chuàng)新技術(shù)助力
擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)
通過調(diào)制開關(guān)頻率,將輻射能量分散到更寬的頻帶,降低峰值輻射水平。優(yōu)勢:無需額外硬件,通過軟件即可實(shí)現(xiàn)。
優(yōu)化線圈對稱性
設(shè)計(jì)高度對稱的變壓器繞組,減少CM電流的不平衡,從而降低輻射。
六、案例總結(jié)
以ADI的isoPower?系列產(chǎn)品為例,通過以下技術(shù)實(shí)現(xiàn)緊湊、高性價(jià)比的隔離設(shè)計(jì):
集成化設(shè)計(jì):將變壓器與驅(qū)動(dòng)電路集成到芯片中,減少外部元件。
內(nèi)置輻射抑制:采用擴(kuò)頻調(diào)制、線圈對稱性優(yōu)化和鐵氧體磁珠,降低輻射發(fā)射。
簡化PCB設(shè)計(jì):無需外部旁路電容,支持2層PCB布局,降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本。
結(jié)論
通過選擇集成化解決方案、優(yōu)化電路與布局設(shè)計(jì)、采用低成本輻射抑制技術(shù),并在設(shè)計(jì)階段前置考慮EMC要求,可以有效避免復(fù)雜的EMI抑制技術(shù),實(shí)現(xiàn)緊湊、高性價(jià)比的隔離設(shè)計(jì)。
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