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聯(lián)合碳化硅基于第四代先進技術(shù)推出新型SiC FET器件

來源: 中電網(wǎng)
2020-12-02
類別:技術(shù)信息
eye 14
文章創(chuàng)建人 拍明

原標題:聯(lián)合碳化硅基于第四代先進技術(shù)推出新型SiC FET器件

聯(lián)合碳化硅(UnitedSiC)基于第四代先進技術(shù)推出新型SiC FET器件

一、產(chǎn)品背景

聯(lián)合碳化硅(UnitedSiC)是全球領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商,致力于提供高性能、高效率的SiC功率器件解決方案。近年來,隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展,SiC材料因其優(yōu)異的物理特性,如高擊穿電場、高熱導率等,在功率半導體領(lǐng)域得到了廣泛應用。

二、新型SiC FET器件介紹

  1. 技術(shù)先進性

    UnitedSiC基于其第四代先進技術(shù),推出了新型SiC FET器件。這些器件采用了先進的SiC材料,結(jié)合創(chuàng)新的器件結(jié)構(gòu)和制造工藝,實現(xiàn)了更高的性能水平。

  2. 產(chǎn)品特性

    • 低導通電阻:新型SiC FET器件具有極低的導通電阻(RDS(on)),這有助于降低器件在工作過程中的功率損耗,提高能源利用效率。

    • 高開關(guān)速度:SiC材料的優(yōu)異特性使得新型SiC FET器件具有極快的開關(guān)速度,有助于減少開關(guān)過程中的能量損失,提高電路的整體效率。

    • 高溫穩(wěn)定性:SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性,新型SiC FET器件能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能,適用于各種嚴苛的工作環(huán)境。

    • 高可靠性:通過采用先進的制造工藝和嚴格的測試流程,新型SiC FET器件具有極高的可靠性,能夠滿足各種高可靠性應用的需求。

  3. 應用領(lǐng)域

    • 汽車領(lǐng)域:新型SiC FET器件適用于電動汽車(EV)的逆變器、車載充電器(OBC)等應用,有助于提高電動汽車的性能和續(xù)航里程。

    • 工業(yè)領(lǐng)域:在工業(yè)充電、數(shù)據(jù)中心PFC(功率因數(shù)校正)和DC-DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域,新型SiC FET器件能夠提供更高的能源利用效率和更小的體積。

    • 可再生能源領(lǐng)域:在太陽能逆變器、風能轉(zhuǎn)換器等可再生能源領(lǐng)域,新型SiC FET器件能夠提高能源轉(zhuǎn)換效率,降低系統(tǒng)成本。

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三、產(chǎn)品優(yōu)勢

  1. 性能提升

    相比傳統(tǒng)的Si基功率器件,新型SiC FET器件在性能上具有顯著優(yōu)勢。其更低的導通電阻和更高的開關(guān)速度使得電路的整體效率更高,能源利用效率更高。

  2. 體積縮小

    由于SiC材料的優(yōu)異特性,新型SiC FET器件能夠在保持高性能的同時,實現(xiàn)更小的體積和更輕的重量。這有助于降低系統(tǒng)的整體成本,提高系統(tǒng)的集成度。

  3. 可靠性增強

    新型SiC FET器件具有極高的可靠性,能夠在各種嚴苛的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。這有助于降低系統(tǒng)的維護成本,提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

四、總結(jié)

聯(lián)合碳化硅(UnitedSiC)基于第四代先進技術(shù)推出的新型SiC FET器件,在性能、體積和可靠性等方面均具有顯著優(yōu)勢。這些器件適用于各種高功率、高效率和高可靠性應用,有望推動半導體功率器件領(lǐng)域的技術(shù)進步和應用拓展。


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標簽: FET器件

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