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Vishay推出業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK SO-8L非對稱雙芯片封裝60 V MOSFET

來源: 中電網(wǎng)
2020-12-17
類別:新品快報
eye 46
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:Vishay推出業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK SO-8L非對稱雙芯片封裝60 V MOSFET

Vishay推出的業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK SO-8L非對稱雙芯片封裝60 V MOSFET,是一款專為汽車行業(yè)設(shè)計的高性能功率MOSFET。以下是關(guān)于這款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:

一、產(chǎn)品背景與意義

隨著汽車電子系統(tǒng)的不斷發(fā)展和復(fù)雜化,對功率器件的性能、可靠性和空間利用率提出了更高的要求。Vishay作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和無源電子元件制造商,推出的這款SQJ264EP MOSFET,旨在滿足汽車行業(yè)對節(jié)省空間和提高DC/DC開關(guān)模式電源效率的需求。這是業(yè)界首款采用PowerPAK SO-8L非對稱雙芯片封裝的60 V MOSFET,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),為汽車電子應(yīng)用提供了更加可靠和高效的解決方案。

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二、產(chǎn)品特點

  1. 非對稱雙芯片封裝

    • SQJ264EP采用PowerPAK SO-8L非對稱雙芯片封裝,在一個5mm x 6mm的緊湊型封裝中集成了一個高邊和一個低邊MOSFET。

    • 這種非對稱封裝設(shè)計優(yōu)化了低邊MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),同時保持了高邊MOSFET的快速開關(guān)速度。

  2. 低導(dǎo)通電阻

    • 低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至8.6 mΩ,有助于降低功率損耗,提高電源效率。

    • 通道1(高邊)MOSFET在10 V時的最大導(dǎo)通電阻為20 mΩ,典型柵極電荷為9.2 nC。

  3. 高效能設(shè)計

    • 在占空比低于50%的功率轉(zhuǎn)換中,SQJ264EP提供了高于對稱雙器件的效率。

    • 優(yōu)化的控制(高邊)和同步(低邊)MOSFET組合,有助于實現(xiàn)更高的電源效率和更小的電路板空間占用。

  4. 高可靠性與耐用性

    • SQJ264EP通過了AEC-Q101認(rèn)證,符合汽車行業(yè)對功率器件的嚴(yán)格要求。

    • 可在超過+175℃的高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,為汽車電子應(yīng)用提供了所需的耐用性和可靠性。

  5. 設(shè)計靈活性

    • 由于沒有內(nèi)部連接的開關(guān)節(jié)點,SQJ264EP為設(shè)計人員提供了將晶體管配置為不同拓?fù)涞撵`活性。

    • 可以應(yīng)用于同步降壓或同步升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器等多種電路拓?fù)渲小?/span>

  6. 鷗翼引線結(jié)構(gòu)

    • 與QFN單封裝和雙封裝相比,SQJ264EP的鷗翼引線允許在其引腳下方實現(xiàn)更好的焊料流。

    • 這有助于增強(qiáng)自動光學(xué)檢查(AOI)能力以及更高的板級可靠性。

三、應(yīng)用場景

SQJ264EP MOSFET適用于多種汽車電子應(yīng)用,包括信息娛樂系統(tǒng)、顯示器、LED照明以及電動自行車等。在這些應(yīng)用中,SQJ264EP能夠提供高效、可靠的電源管理解決方案,幫助汽車制造商提高產(chǎn)品的性能和競爭力。

四、總結(jié)

Vishay推出的這款SQJ264EP MOSFET,以其非對稱雙芯片封裝、低導(dǎo)通電阻、高效能設(shè)計和高可靠性等特點,在汽車電子領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢。這款產(chǎn)品的推出,不僅豐富了Vishay的功率MOSFET產(chǎn)品線,也為汽車電子應(yīng)用提供了更加高效、可靠的解決方案。


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