原標(biāo)題：宜特晶圓減薄能力達(dá)1．5mil

宜特（iST）的晶圓減薄能力確實(shí)達(dá)到了1.5mil（38um）。以下是對(duì)此能力的詳細(xì)解釋：

一、技術(shù)突破

宜特晶圓后端工藝廠（竹科二廠）成功開發(fā)了晶圓減薄達(dá)1.5mil的技術(shù)，并通過(guò)了客戶的肯定。這一技術(shù)門檻的突破，顯示了宜特在晶圓減薄領(lǐng)域的先進(jìn)實(shí)力。

二、技術(shù)優(yōu)勢(shì)

1. 高精度：宜特已完成從2mil（50um）到1.5mil（38um），甚至到0.4mil（10um）的減薄技術(shù)開發(fā)。這種高精度的減薄能力，使得晶圓在保持足夠強(qiáng)度的同時(shí)，能夠進(jìn)一步減小封裝體積，提高芯片的散熱效率和性能。

2. 高強(qiáng)度：在減薄過(guò)程中，宜特采用特殊的優(yōu)化工藝，能夠兼顧晶圓強(qiáng)度，避免破片率居高不下的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)蝕刻工藝優(yōu)化和專業(yè)的芯片強(qiáng)度測(cè)試，宜特確保了減薄后的晶圓仍具有足夠的強(qiáng)度和可靠性。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

宜特的晶圓減薄技術(shù)廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體進(jìn)行“減薄”，是改善工藝、實(shí)現(xiàn)“低功耗、低輸入阻抗”最直接有效的方式。晶圓減薄不僅有助于減少后續(xù)封裝材料體積，還能降低RDS(on)（導(dǎo)通阻抗），進(jìn)而減少熱能累積效應(yīng)，增加芯片的使用壽命。

四、公司背景

宜特（iST）自1994年創(chuàng)立以來(lái)，從IC線路除錯(cuò)及修改起家，逐年拓展新服務(wù)，包括失效分析、可靠性驗(yàn)證、材料分析等。目前，宜特已建構(gòu)完整的驗(yàn)證與分析工程平臺(tái)與全方位服務(wù)，客群囊括電子產(chǎn)業(yè)上游IC設(shè)計(jì)至中下游成品端。此外，宜特還建置了車用電子驗(yàn)證平臺(tái)、高速傳輸信號(hào)測(cè)試等服務(wù)，秉持著提供客戶完整解決方案的宗旨，從驗(yàn)證領(lǐng)域跨入“晶圓后端工藝整合”量產(chǎn)服務(wù)。

綜上所述，宜特的晶圓減薄能力達(dá)到了1.5mil，并憑借高精度、高強(qiáng)度和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域等優(yōu)勢(shì)，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域展現(xiàn)了強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。