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Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過AEC-Q101認(rèn)證的100 V 汽車級(jí)P溝道MOSFET

來源: 中電網(wǎng)
2021-01-13
類別:新品快報(bào)
eye 10
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過AEC-Q101認(rèn)證的100 V 汽車級(jí)P溝道MOSFET

Vishay確實(shí)推出了一款具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過AEC-Q101認(rèn)證的100V汽車級(jí)P溝道MOSFET,即SQJ211ELP。以下是對(duì)這款產(chǎn)品的詳細(xì)分析:

一、產(chǎn)品概述

Vishay Siliconix SQJ211ELP是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的P溝道MOSFET,它提供了100V的DS(漏源)電壓等級(jí),并具有出色的導(dǎo)通性能和可靠性。該產(chǎn)品通過了AEC-Q101認(rèn)證,確保了在汽車應(yīng)用中的高可靠性和長(zhǎng)壽命。

二、優(yōu)異導(dǎo)通性能

  1. 低導(dǎo)通電阻:在10V條件下,SQJ211ELP的導(dǎo)通電阻僅為30mW,這一數(shù)值遠(yuǎn)低于市場(chǎng)上同類競(jìng)品,使得該產(chǎn)品在導(dǎo)通功耗方面表現(xiàn)出色,有助于節(jié)省能源。

  2. 低柵極電荷:該產(chǎn)品的柵極電荷僅為45nC,減少了柵極驅(qū)動(dòng)損耗,提高了整體效率。

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三、AEC-Q101認(rèn)證

AEC-Q101是針對(duì)汽車電子元件的可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),涵蓋了多種環(huán)境條件下的性能測(cè)試。SQJ211ELP通過AEC-Q101認(rèn)證,意味著它能夠在汽車應(yīng)用中承受高溫、高濕、振動(dòng)等惡劣環(huán)境條件,保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。

四、緊湊封裝與占位面積

SQJ211ELP采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)的5mm x 6mm緊湊型PowerPAK SO-8L封裝,與最接近的DPAK和D2PAK封裝競(jìng)品器件相比,其占位面積分別減小了50%和76%。這種緊湊的封裝設(shè)計(jì)使得SQJ211ELP在汽車應(yīng)用中能夠節(jié)省寶貴的空間,提高功率密度。

五、應(yīng)用領(lǐng)域與優(yōu)勢(shì)

  1. 應(yīng)用領(lǐng)域:SQJ211ELP適用于多種汽車應(yīng)用,如反向極性保護(hù)、電池管理、高邊負(fù)載開關(guān)和LED照明等。其高溫工作能力(+175°C)也使其能夠滿足這些應(yīng)用中的牢固性和可靠性要求。

  2. 優(yōu)勢(shì):除了優(yōu)異的導(dǎo)通性能和可靠性外,SQJ211ELP還具有簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)。作為P溝道MOSFET,它無需配置n溝道器件所需的電荷泵,從而降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性并節(jié)省了成本。

六、總結(jié)

Vishay推出的SQJ211ELP是一款具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過AEC-Q101認(rèn)證的100V汽車級(jí)P溝道MOSFET。它在導(dǎo)通電阻、柵極電荷、封裝尺寸和可靠性方面均表現(xiàn)出色,適用于多種汽車應(yīng)用。通過采用這款MOSFET,汽車制造商可以提高產(chǎn)品的功率密度和能效,同時(shí)降低設(shè)計(jì)和生產(chǎn)成本。


責(zé)任編輯:David

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