原標題：SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

SiC MOSFET替代Si MOSFET時，自舉電路在一定程度上是適用的，但需要注意一些關(guān)鍵問題和調(diào)整。

自舉電路能夠極大地簡化驅(qū)動電源的設(shè)計，它只需要一路電源就可以驅(qū)動上下橋臂兩個開關(guān)管，從而節(jié)省成本。在SiC MOSFET驅(qū)動中，常規(guī)自舉電路的基本工作原理保持不變：當下管導通時，電源通過自舉二極管和電阻對自舉電容進行充電；當下管關(guān)斷后，自舉電容提供電源對上管進行驅(qū)動。

然而，由于SiC MOSFET與Si MOSFET在特性上存在一些差異，因此在應(yīng)用自舉電路時需要注意以下幾點：

1. 上管驅(qū)動電壓降幅：由于自舉電容的放電和二極管壓降的存在，上管驅(qū)動電壓會有一定降幅。這要求自舉電路中的組件選擇需要更加精細，以確保上管能夠得到足夠的驅(qū)動電壓。同時，整個自舉電路對雜散參數(shù)有較高要求。

2. 充電時間調(diào)整：為了保證上管的正常開關(guān)，需要調(diào)整PWM信號，為自舉電容預留足夠的充電時間。這可以通過優(yōu)化PWM信號的占空比和頻率來實現(xiàn)。

3. 組件選擇：自舉二極管需要選擇具有足夠耐壓和載流能力的型號，以承受母線級別的大電壓和瞬間充電電流。自舉電容則需要選擇寄生電感盡可能小的類型，以防止充電時產(chǎn)生LC震蕩。

4. 功率范圍限制：由于自舉電路在設(shè)計和實現(xiàn)上存在一定的復雜性，并且要求較高的組件性能，因此建議在中低功率范圍內(nèi)使用。在高功率應(yīng)用中，可能需要考慮其他更復雜的驅(qū)動方案。

綜上所述，SiC MOSFET替代Si MOSFET時，自舉電路在一定程度上是適用的，但需要根據(jù)SiC MOSFET的特性和應(yīng)用需求進行適當?shù)恼{(diào)整和優(yōu)化。通過精細的組件選擇和電路設(shè)計，可以確保自舉電路在SiC MOSFET驅(qū)動中的可靠性和性能。