原標(biāo)題：Vishay推出新型650 V SiC肖特基二極管，提升高頻應(yīng)用能效

Vishay確實(shí)推出了新型650 V SiC肖特基二極管，旨在提升高頻應(yīng)用的能效。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品概述

Vishay Intertechnology, Inc.（Vishay）推出了多款新型650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些二極管采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有多項(xiàng)優(yōu)異性能，適用于高頻應(yīng)用。

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 高能效：

• 器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V，正向壓降與電容電荷乘積（即電源能效重要優(yōu)值系數(shù)FOM）相比上一代解決方案降低17%。

• 與競(jìng)品解決方案相比，二極管室溫下典型反向漏電流低30%，高溫下低70%，降低了導(dǎo)通損耗，確保系統(tǒng)輕載和空載期間的高能效。

2. 高可靠性：

• 幾乎沒有恢復(fù)拖尾，與超快恢復(fù)二極管不同，能夠進(jìn)一步提升效率。

• 反向恢復(fù)時(shí)間短，且?guī)缀醪皇軠囟茸兓挠绊?，可?175℃高溫下工作，不會(huì)因開關(guān)損耗造成能效變化。

• 器件具有高可靠性，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，通過2000小時(shí)高溫反偏（HTRB）測(cè)試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測(cè)試，測(cè)試時(shí)間和循環(huán)次數(shù)是AEC-Q101規(guī)定的兩倍。

3. 多種封裝選項(xiàng)：

• 采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L插件封裝以及D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝，提供多種額定電流供選擇，包括4A至40A。

4. 高性能：

• 采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有高浪涌電流保護(hù)能力。

• 低正向壓降、電容電荷和反向漏電流。

• 適用于高速硬開關(guān)和在寬溫度范圍內(nèi)高效工作。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

這些新型650 V SiC肖特基二極管適用于多種高頻應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于：

• 發(fā)電和勘探應(yīng)用領(lǐng)域中的FBPS和LLC轉(zhuǎn)換器。

• AC/DC功率因數(shù)校正（PFC）和DC/DC超高頻輸出整流。

• 服務(wù)器轉(zhuǎn)換器、電信設(shè)備、不間斷電源（UPS）以及太陽(yáng)能逆變器。

四、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1. 能效提升：通過降低開關(guān)損耗和反向漏電流，顯著提升高頻應(yīng)用的能效。

2. 高可靠性：經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試和認(rèn)證，確保器件在高溫和惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. 多種封裝選項(xiàng)：提供多種封裝和額定電流選擇，滿足不同應(yīng)用需求。

綜上所述，Vishay推出的新型650 V SiC肖特基二極管在高頻應(yīng)用能效提升方面表現(xiàn)出色，具有廣泛的應(yīng)用前景。