原標(biāo)題：Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC－Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品

Nexperia（安世半導(dǎo)體）擴(kuò)展了其LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出了符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品。以下是對(duì)這一新品的詳細(xì)解析：

一、產(chǎn)品背景與意義

采用兩個(gè)MOSFET的半橋配置是許多汽車(chē)應(yīng)用（包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建模塊。Nexperia作為關(guān)鍵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家，此次推出的LFPAK56D半橋MOSFET產(chǎn)品，旨在滿(mǎn)足汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高可靠性半?dǎo)體器件的需求。

二、產(chǎn)品特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

1. 節(jié)省空間：

• LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用節(jié)省空間的封裝技術(shù)，與用于三相電機(jī)控制拓?fù)涞碾p通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線(xiàn)路，其占用的PCB面積減少了30%。

2. 降低寄生電感：

• 在半橋結(jié)構(gòu)中，高邊MOSFET的源極與低邊MOSFET的漏極之間的PCB連接通常會(huì)產(chǎn)生大量的寄生電感。但LFPAK56D半橋封裝通過(guò)內(nèi)部夾式連接，成功減少了60%的寄生電感，從而改善了系統(tǒng)的性能。

3. 改善散熱性能：

• LFPAK56D半橋產(chǎn)品還具有出色的散熱性能，有助于確保器件在高功率密度應(yīng)用中的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. 簡(jiǎn)化PCB設(shè)計(jì)：

• 該封裝形式使用靈活的引腳來(lái)提高整體可靠性，并且MOSFET之間采用內(nèi)部銅夾連接，簡(jiǎn)化了PCB設(shè)計(jì)并帶來(lái)了即插即用式解決方案。

5. 高電流處理能力：

• LFPAK56D半橋產(chǎn)品的電流處理能力達(dá)到98A（具體電流處理能力可能因產(chǎn)品型號(hào)而異），表現(xiàn)出色。

6. 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)：

• 該產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，這意味著它經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的測(cè)試和驗(yàn)證，以確保其能夠在汽車(chē)應(yīng)用中提供可靠的性能。

三、產(chǎn)品應(yīng)用

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的Nexperia LFPAK56D半橋封裝產(chǎn)品適合各類(lèi)三相汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，例如燃油泵、水泵、電機(jī)控制和DC/DC電源轉(zhuǎn)換。其占用的PCB面積減少30%，寄生電感減少60%，因此適用于高性能開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

四、產(chǎn)品型號(hào)與規(guī)格

Nexperia推出的LFPAK56D半橋MOSFET產(chǎn)品包括BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H等型號(hào)。這些產(chǎn)品都采用高度耐用的Trench 9汽車(chē)級(jí)晶圓工藝技術(shù)，額定電壓為40V，并在關(guān)鍵測(cè)試中通過(guò)了兩倍汽車(chē)AEC-Q101規(guī)范的驗(yàn)證。此外，這兩款器件的RDS(on)分別為4.2mOhm（BUK7V4R2）和13mOhm（BUK9V13），表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通電阻。

五、總結(jié)

Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列并推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品，是其在汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域的一次重要布局。這一新品不僅具有節(jié)省空間、降低寄生電感、改善散熱性能等優(yōu)勢(shì)，還符合嚴(yán)格的汽車(chē)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用等領(lǐng)域提供了高性能、高可靠性的半導(dǎo)體器件解決方案。