上海臨港發(fā)布第三代半導體支持政策:建設世界級 “東方芯港”


原標題:上海臨港發(fā)布第三代半導體支持政策:建設世界級 “東方芯港”
上海臨港新片區(qū)為了推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,發(fā)布了相關支持政策,并致力于建設世界級的“東方芯港”。以下是對該政策及其目標的詳細解讀:
一、政策背景與目標
上海臨港新片區(qū)發(fā)布了《中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)專項規(guī)劃(2021-2025)》(簡稱《規(guī)劃》),明確提出了將上海臨港建設成為世界級的“東方芯港”的目標。《規(guī)劃》旨在通過推進重大項目落地建設,形成新片區(qū)集成電路綜合性產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地的基礎框架,并構建起高水平產(chǎn)業(yè)生態(tài),最終成為具有全球影響力的“東方芯港”。
二、主要發(fā)展目標
產(chǎn)業(yè)規(guī)模:
到2025年,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破1000億元,芯片制造、裝備材料主導地位進一步加強,芯片設計、封裝測試形成規(guī)模化集聚。
人才集聚:
匯聚超過2-5萬名碩士以上學歷的集成電路從業(yè)人員,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供堅實的人才支撐。
企業(yè)培育:
引進培育5家以上國內(nèi)外領先的芯片制造企業(yè);
形成5家年收入超過20億元的設備材料企業(yè);
培育10家以上的上市企業(yè),并圍繞5G、CPU、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、無人駕駛等細分領域發(fā)展壯大一批獨角獸設計企業(yè)。
高質(zhì)量發(fā)展:
園區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)投資強度達到1500萬元/畝,產(chǎn)出強度達到1500萬元/畝,確保產(chǎn)業(yè)的高效益和可持續(xù)發(fā)展。
三、重點支持領域
EDA設計工具及關鍵IP:
積極引進國內(nèi)外EDA工具/IP企業(yè),支持其與龍頭設計、代工企業(yè)合作開發(fā)工藝套件。
支持針對汽車電子、5G、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等重點領域的EDA工具/IP開發(fā)。
關鍵核心芯片:
針對智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、高端裝備等臨港重點產(chǎn)業(yè),配套關鍵核心芯片。
加強供應鏈安全需求,推動自主核心芯片研發(fā),打造系統(tǒng)解決方案。
高端芯片:
面向AI、5G射頻、功率芯片、相變存儲器(PCRAM)、阻變存儲器(RRAM)等新興領域,實現(xiàn)增量發(fā)展。
智能傳感芯片:
聚焦物聯(lián)網(wǎng)及智能終端、無人駕駛、智慧醫(yī)療、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等重點應用領域。
推動自主智能傳感器產(chǎn)品創(chuàng)新及商業(yè)化應用。
四、具體措施與進展
推進工藝線建設:
推進6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工藝線建設,面向5G、新能源汽車等應用場景,加快化合物半導體產(chǎn)品驗證應用。
引進先進項目:
積極對接引進國內(nèi)最先進工藝線放大項目,以及磁存儲器(MRAM)、3DNAND、半浮柵等新型存儲項目落地。
打造特色工藝高地:
堅持市場需求與技術開發(fā)相結合,推動BCD、IGBT、CIS、MEMS等特色工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
產(chǎn)業(yè)鏈構建:
初步構建了寬禁帶半導體全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展格局,涵蓋碳化硅、氮化鎵等類型,覆蓋襯底、制造、設計、設備、封測、模組、應用等全領域。
產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新:
依托龍頭企業(yè)聯(lián)合高校,建設大企業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合體。
引進高能級科研平臺和檢測機構,支持建設檢測認證平臺。
應用推廣與補貼:
加速碳化硅功率器件上車應用,推動整車企業(yè)與本土碳化硅芯片設計及模組企業(yè)對接。
對采購國產(chǎn)碳化硅器件的給予一定補貼。
綜上所述,上海臨港新片區(qū)通過發(fā)布第三代半導體支持政策,明確了建設世界級“東方芯港”的目標,并提出了具體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、重點支持領域以及一系列具體措施。這些政策的實施將有助于推動上海臨港乃至全國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。
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