30億美元打水漂,美光放棄3D Xpoint研發(fā)


原標(biāo)題:30億美元打水漂,美光放棄3D Xpoint研發(fā)
“30億美元打水漂,美光放棄3D Xpoint研發(fā)”這一說法主要基于美光公司在3D XPoint技術(shù)研發(fā)上的大量投入以及最終決定放棄該技術(shù)研發(fā)的事實(shí)。以下是對此事件的詳細(xì)分析:
一、背景介紹
3D XPoint是由英特爾和美光兩大存儲器芯片巨頭共同開發(fā)的一種內(nèi)存存儲技術(shù),旨在填補(bǔ)動態(tài)RAM(DRAM)和NAND閃存之間的存儲市場空白。該技術(shù)號稱可以實(shí)現(xiàn)比NAND閃存快一千倍的存取速度,曾被人們吹捧為“游戲規(guī)則的改變者”和“硅和晶體管的替代品”。
二、美光的投入與決策
研發(fā)投入:美光在3D XPoint技術(shù)上的研發(fā)投入巨大,據(jù)估計(jì),與英特爾共同開發(fā)該技術(shù)期間,美光投入了約30億美元(約合195億元人民幣)。
商業(yè)化嘗試:盡管美光嘗試以QuantX品牌包裝3D XPoint,并發(fā)布了X100企業(yè)級SSD,但市場規(guī)模有限,并未達(dá)到預(yù)期的商業(yè)效果。
決策放棄:由于需求不足,美光在2021年3月宣布終止對3D XPoint技術(shù)的所有研發(fā),并將資源轉(zhuǎn)移到基于CXL工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的新接口內(nèi)存等產(chǎn)品上。同時,美光還計(jì)劃出售其位于美國猶他州Lehi的3D XPoint芯片工廠。
三、美光放棄3D XPoint的原因
市場需求不足:盡管3D XPoint技術(shù)具有諸多優(yōu)勢,但由于其高昂的成本和特定的應(yīng)用場景,市場需求并未達(dá)到預(yù)期水平。這導(dǎo)致美光無法通過大規(guī)模商業(yè)化來收回研發(fā)成本。
技術(shù)挑戰(zhàn):3D XPoint技術(shù)的制造過程復(fù)雜,且需要采用先進(jìn)的光刻圖案化步驟。這增加了生產(chǎn)成本,并限制了產(chǎn)品容量的增加。同時,與DRAM相比,3D XPoint在速度和延遲方面仍存在一定差距。
合作伙伴關(guān)系的變化:英特爾和美光在合作了兩代技術(shù)后,于2018年開始拆分閃存合作關(guān)系。這導(dǎo)致美光在獨(dú)立開發(fā)3D XPoint技術(shù)時面臨更多挑戰(zhàn)。
四、后續(xù)發(fā)展
出售工廠:美光最終將其位于猶他州Lehi的3D XPoint芯片工廠出售給德州儀器,標(biāo)志著其正式退出3D XPoint業(yè)務(wù)。
轉(zhuǎn)向新領(lǐng)域:美光將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向開發(fā)支持CXL標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存產(chǎn)品等新領(lǐng)域,以尋求新的增長點(diǎn)。
綜上所述,“30億美元打水漂”這一說法雖然夸張,但確實(shí)反映了美光在3D XPoint技術(shù)研發(fā)上的巨大投入和最終放棄的遺憾。然而,商業(yè)決策往往受到多種因素的影響,美光在評估了市場需求、技術(shù)挑戰(zhàn)和合作伙伴關(guān)系后,做出了放棄3D XPoint技術(shù)的決策,并將資源投入到更具潛力的新領(lǐng)域。
責(zé)任編輯:David
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