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賽默飛Talos F200E 掃描透射電子顯微鏡提供原子級成像和快速EDS分析

來源: 中電網(wǎng)
2021-03-18
類別:業(yè)界動態(tài)
eye 32
文章創(chuàng)建人 拍明

原標題:賽默飛Talos F200E 掃描透射電子顯微鏡提供原子級成像和快速EDS分析

賽默飛Talos F200E掃描透射電子顯微鏡(STEM)是一款高性能的顯微鏡,它提供了原子級成像和快速的能量色散X射線能譜(EDS)分析功能。以下是對該顯微鏡的詳細介紹:

一、產品特點

  1. 原子級成像

    • Talos F200E STEM能夠提供具有極小失真的高分辨率STEM和TEM(透射電子顯微鏡)成像。

    • 其分辨率極高,STEM分辨率≤0.16nm,TEM信息限度≤0.12nm,TEM線分辨率≤0.10nm,使得用戶能夠觀察到原子級別的細節(jié)。

  2. 快速EDS分析

    • 該顯微鏡配備了先進的EDS系統(tǒng),能夠進行快速的化學成分分析。

    • 與先前的Talos模型相比,Talos F200E提供了>1.5倍的快速EDS分析速度。

    • 高通量的EDS功能使得用戶能夠在更短的時間內獲得準確的化學成分信息。

  3. 高穩(wěn)定性與重復性

    • Talos F200E STEM具有自動校準的屬性,能夠控制圖像畸變≤1%,確保用戶獲得快速、可靠和可重復的結果。

    • 這種高穩(wěn)定性和重復性對于半導體和其他微電子設備的分析至關重要。

  4. 易用性與成本效益

    • Talos F200E STEM設計得既易于使用又具有成本效益,幫助半導體實驗室實現(xiàn)快速的樣品表征。

    • 它支持多信號檢測和對比度優(yōu)化的STEM成像,以及標本-載物臺同步實時TEM圖像旋轉等功能,使得操作更加便捷。

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二、應用領域

Talos F200E STEM專為多種半導體缺陷分析和研究應用而設計,適用于可重復、高容量的多種半導體和微電子設備分析。它支持快節(jié)奏的工藝開發(fā)和良率提升,使得半導體分析實驗室能夠顯著應變。此外,它還可以用于材料科學、納米技術、生物醫(yī)學等領域的研究和分析。

三、技術規(guī)格

  • 加速電壓:200kV

  • 探測器:配置有Dual-X EDS探測器,提供更高的靈敏度和分析速度。

  • 相機:具有低失真的4k×4k Ceta-M相機,提供高分辨率成像。

  • 物鏡:X-FEG物鏡,具有卓越的成像性能和靈活性。

  • 軟件:配備有直觀的Velox軟件用戶界面,使得操作更加簡單方便。

綜上所述,賽默飛Talos F200E掃描透射電子顯微鏡是一款高性能、易用且具有成本效益的顯微鏡,它提供了原子級成像和快速的EDS分析功能,適用于多種半導體和微電子設備的研究和分析。


責任編輯:David

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