原標(biāo)題：尺寸小于10微米的紅光Micro LED芯片問世！

尺寸小于10微米的紅光Micro LED芯片的問世，標(biāo)志著Micro LED技術(shù)在小型化方面取得了重要突破。以下是對這一技術(shù)的詳細(xì)解析：

一、技術(shù)背景與突破

1. 技術(shù)背景：

• Micro LED技術(shù)是一種新型的顯示技術(shù)，具有自發(fā)光、高亮度、高對比度、低功耗和長壽命等優(yōu)點(diǎn)。

• 紅光Micro LED芯片是Micro LED顯示技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分，對于實(shí)現(xiàn)全彩顯示具有重要意義。

2. 技術(shù)突破：

• 美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校（UCSB）的研究團(tuán)隊(duì)首次展示了尺寸小于10微米的InGaN基紅光Micro LED芯片。

• 這一突破使得Micro LED芯片在尺寸上達(dá)到了新的高度，為Micro LED技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用提供了更多可能性。

二、芯片特點(diǎn)與性能

1. 尺寸：

• 該紅光Micro LED芯片的尺寸小于10微米，這使得它能夠在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的像素密度。

2. 材料：

• 芯片采用InGaN（氮化銦鎵）材料制成，這種材料具有寬帶隙可調(diào)、機(jī)械穩(wěn)定性好和空穴擴(kuò)散長度短等優(yōu)點(diǎn)。

• 與傳統(tǒng)的AlGaInP（鋁鎵銦磷）材料相比，InGaN材料在小型化方面更具優(yōu)勢。

3. 性能：

• 通過晶圓上量測得出，該紅光Micro LED芯片的外量子效率（EQE）為0.2%。雖然這一數(shù)值還遠(yuǎn)低于商業(yè)化應(yīng)用的要求（至少為2-5%），但研究團(tuán)隊(duì)表示相關(guān)工作已進(jìn)入初步階段，并預(yù)期未來將有實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展。

三、技術(shù)挑戰(zhàn)與未來展望

1. 技術(shù)挑戰(zhàn)：

• 提高紅光Micro LED芯片的外量子效率是當(dāng)前面臨的主要挑戰(zhàn)之一。只有當(dāng)外量子效率達(dá)到足夠高的水平時，才能滿足Micro LED顯示器的要求。

• 此外，巨量轉(zhuǎn)移制程也是Micro LED技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸之一。由于Micro LED芯片尺寸極小，如何實(shí)現(xiàn)高效、準(zhǔn)確的巨量轉(zhuǎn)移是一個亟待解決的問題。

2. 未來展望：

• 隨著研究工作的不斷深入和技術(shù)的不斷進(jìn)步，預(yù)計紅光Micro LED芯片的外量子效率將得到顯著提高。這將為Micro LED技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用奠定堅實(shí)基礎(chǔ)。

• 同時，隨著新材料、新工藝和新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，Micro LED技術(shù)有望在更廣泛的領(lǐng)域得到應(yīng)用和推廣。例如，在智能手機(jī)、AR眼鏡、4K電視等高端顯示領(lǐng)域，Micro LED技術(shù)有望帶來更加出色的顯示效果和用戶體驗(yàn)。

綜上所述，尺寸小于10微米的紅光Micro LED芯片的問世是Micro LED技術(shù)在小型化方面取得的重要突破。雖然當(dāng)前還面臨一些技術(shù)挑戰(zhàn)和難題，但隨著研究的不斷深入和技術(shù)的不斷進(jìn)步，相信未來Micro LED技術(shù)將在更廣泛的領(lǐng)域得到應(yīng)用和推廣。