原標題：SJ－MOS技術加成，維安全新MOSFET讓Rdson更低

SJ-MOS（Super Junction-MOS）技術是一種先進的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）制造技術，它通過優(yōu)化器件結構，顯著降低了導通電阻（Rdson），提高了器件的性能和效率。維安（WAYON）作為電路保護元器件及功率半導體提供商，通過SJ-MOS技術的加成，推出了全新的MOSFET產品，實現了更低的Rdson。以下是對SJ-MOS技術及其在維安全新MOSFET中應用的具體分析：

一、SJ-MOS技術原理及優(yōu)勢

1. 原理

• SJ-MOS技術通過在MOSFET的漂移區(qū)內引入交替排列的P型和N型摻雜區(qū)域，形成超結結構，從而提高了器件的擊穿電壓并降低了導通電阻。

2. 優(yōu)勢

• 更低的導通電阻：SJ-MOS技術通過優(yōu)化器件結構，顯著降低了Rdson，減少了功率損耗，提高了器件的效率。

• 更高的電壓承受能力：超結結構使得SJ-MOS器件能夠承受更高的電壓，適用于高功率、高電壓的應用場景。

• 更小的封裝體積：在同等電壓和電流要求下，SJ-MOS的芯片面積比傳統(tǒng)MOS更小，具備空間優(yōu)勢，有利于功率密度的提高。

二、維安全新MOSFET的Rdson降低

維安通過多年的SJ-MOS技術研發(fā)創(chuàng)新，成功開發(fā)出了行業(yè)內超低導通電阻的產品。例如，維安的WMJ120N60CM產品，采用常規(guī)TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS，其Rdson低至16.5mΩ，相較于傳統(tǒng)MOSFET產品，具有顯著的性能提升。

三、維安全新MOSFET的應用

維安的全新MOSFET產品主要面向高功率電源模塊，如新能源汽車地面充電樁模塊電源、通信電源和高功率充電機等行業(yè)。這些行業(yè)對器件的性能和效率有著極高的要求，而維安的SJ-MOS技術正好滿足了這些需求。

1. 新能源汽車充電樁：新能源汽車充電樁需要承受高功率和高電壓的沖擊，同時要求器件具有高效能和低損耗。維安的SJ-MOS技術MOSFET產品正好滿足了這些要求，為新能源汽車充電樁提供了可靠的解決方案。

2. 通信電源：通信電源需要保證穩(wěn)定可靠的供電，同時要求器件具有低功耗和高效率。維安的SJ-MOS技術MOSFET產品降低了功耗，提高了效率，為通信電源提供了更好的性能保障。

四、總結

SJ-MOS技術是一種先進的MOSFET制造技術，通過優(yōu)化器件結構顯著降低了導通電阻，提高了器件的性能和效率。維安通過多年的技術研發(fā)創(chuàng)新，成功推出了采用SJ-MOS技術的全新MOSFET產品，實現了更低的Rdson和更高的性能。這些產品在高功率電源模塊等行業(yè)中得到了廣泛應用，為這些行業(yè)提供了可靠、高效的解決方案。