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瞬變電壓抑制二極管(TVS)的特性及其參數(shù)

來源: 維庫電子網(wǎng)
2021-04-02
類別:技術(shù)信息
eye 31
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:瞬變電壓抑制二極管(TVS)的特性及其參數(shù)

瞬變電壓抑制二極管(TVS),也被稱為瞬態(tài)電壓抑制器,是一種具有雙向穩(wěn)壓特性和雙向負(fù)阻特性的過壓保護(hù)器件。以下是對(duì)TVS二極管的特性及其參數(shù)的詳細(xì)介紹:

一、TVS二極管的特性

  1. 高響應(yīng)速度:TVS二極管具有非??斓捻憫?yīng)速度,通常小于1ps(10^-12秒),可以快速接地或擊穿以吸收來自電源或任何其他外部干擾源的過電壓脈沖。

  2. 高能量耗散能力:TVS二極管可吸收大量的能量,并將其轉(zhuǎn)化為熱量,以保護(hù)受保護(hù)的設(shè)備正常工作。其瞬態(tài)功率大,可達(dá)200W至30000W甚至更高。

  3. 低工作電壓:TVS二極管的工作電壓通常較低,可在設(shè)備工作電壓范圍內(nèi)提供可靠的保護(hù)。

  4. 高浪涌電流承受能力:TVS二極管能夠處理高浪涌電流,并保持正常工作。這種能力使其成為防止電路或電器受到浪涌電壓干擾的有效手段。其能夠承受的脈沖峰值電流(IPP)很大,具體取決于型號(hào)和規(guī)格。

  5. 可重復(fù)性:TVS二極管能夠多次吸收過電壓脈沖而不損壞,同時(shí)保持正常工作。

  6. 體積小,易安裝:TVS二極管封裝形式多樣化,包括貼片封裝(如SOD-123、SMA/DO-214AC等)和直插封裝(如DO-41、DO-15等),便于在電路中安裝和使用。

  7. 無鹵化,符合RoHS:TVS二極管符合環(huán)保要求,無鹵化,可應(yīng)用于各種環(huán)保要求的場(chǎng)合。

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二、TVS二極管的參數(shù)

  1. 反向工作電壓(VRWM或Vstandoff):在此電壓下,TVS二極管處于高阻抗?fàn)顟B(tài),不工作,對(duì)應(yīng)的漏電流也很小。使用時(shí),應(yīng)使VRWM不低于被保護(hù)器件或線路的正常工作電壓。

  2. 漏電流(IR):TVS二極管在反向工作電壓下流過的電流,也叫待機(jī)電流。電流值非常小,通常在10μA至100μA之間。當(dāng)TVS用于高阻抗電路時(shí),這個(gè)漏電流是一個(gè)重要的參數(shù)。

  3. 擊穿電壓(VBR或VBO):在規(guī)定的測(cè)試電流下,TVS二極管反向?qū)〞r(shí)的兩端電壓。測(cè)試時(shí),時(shí)間要控制在400ms以下,以避免TVS受熱損壞。測(cè)量時(shí),擊穿電壓落在最小擊穿電壓和最大擊穿電壓之間都是正常的。它是TVS二極管開始導(dǎo)通的電壓閾值。

  4. 鉗位電壓(VC或Vclamp):在施加規(guī)定波形的峰值脈沖電流下,TVS二極管兩端測(cè)得的峰值電壓。它是TVS二極管將過電壓鉗制在較低水平的電壓值。使用時(shí),應(yīng)使VC不高于被保護(hù)器件的最大允許安全電壓。一般箝位系數(shù)為VC(max)/VBR,通常為1.3左右。

  5. 脈沖峰值電流(IPP):TVS二極管能夠承受的脈沖峰值電流。它表示TVS二極管在受到電壓脈沖沖擊時(shí),能夠瞬時(shí)承受的最大電流。

  6. 反向脈沖峰值功率(PPR):TVS二極管的PPR取決于脈沖峰值電流IPP和最大箝位電壓VC,還受脈沖波形、脈沖時(shí)間及環(huán)境溫度的影響。它表示TVS二極管在反向工作時(shí),能夠承受的最大脈沖功率。

  7. 電容(Cj):TVS二極管的電容值由硅片的面積和偏置電壓決定。電容的大小會(huì)影響TVS器件的響應(yīng)時(shí)間。瞬態(tài)電壓抑制二極管的電容值越大,對(duì)電路的干擾越大,可能形成更大的噪音或衰減訊號(hào)強(qiáng)度。對(duì)于數(shù)據(jù)/訊號(hào)頻率越高的回路,電容值通常不大于10pF。

此外,TVS二極管還分為單向和雙向兩種類型。單向TVS一般用于直流電路,而雙向TVS可在正反兩個(gè)方向吸收瞬時(shí)大脈沖功率,并把電壓鉗制到預(yù)定水平,適用于交流電路。

總的來說,TVS二極管以其獨(dú)特的性能和多樣化的參數(shù)選擇,在電子設(shè)備的過壓保護(hù)中發(fā)揮著重要作用。在選擇TVS二極管時(shí),應(yīng)根據(jù)具體的電路要求和保護(hù)需求,綜合考慮其特性參數(shù)和封裝形式等因素。


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標(biāo)簽: 抑制二極管

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