原標(biāo)題：Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行

Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出的第二代650V氮化鎵（GaN）場效應(yīng)管（FET）在電源領(lǐng)域取得了顯著的突破，使得80 PLUS鈦金級電源能夠在2kW或更高功率下運(yùn)行。以下是對這一產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品概述

Nexperia第二代650V GaN FET器件系列，以其卓越的性能和批量供貨的能力，為高性能電源設(shè)計(jì)提供了新的選擇。這些器件特別適用于需要高效率、高功率密度和緊湊設(shè)計(jì)的場合。

二、主要性能特點(diǎn)

1. 低RDS(on)值：

• 該系列GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，這有助于降低功耗并提高電源效率。

2. 高功率處理能力：

• 適用于2kW至10kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源（SMPS），滿足高性能電源應(yīng)用的需求。

3. 高效率認(rèn)證：

• 特別適合需要滿足80 PLUS鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。鈦金級是80 PLUS規(guī)格中最嚴(yán)苛的，滿載條件下要求達(dá)到>91%的效率（半載條件下>96%）。

4. 封裝與尺寸：

• 采用TO-247封裝，對于給定RDS(on)值，芯片尺寸縮小36%，具有更好的穩(wěn)定性和效率。

5. 簡化電路設(shè)計(jì)：

• 級聯(lián)配置無需復(fù)雜的驅(qū)動電路，加快了產(chǎn)品上市速度。同時，該器件在硬開關(guān)和軟開關(guān)電路中均具有出色的性能，為設(shè)計(jì)人員提供極大的靈活性。

三、應(yīng)用場景

1. 服務(wù)器電源：

• 對于2kW及更高功率的服務(wù)器電源應(yīng)用，使用傳統(tǒng)硅器件來實(shí)現(xiàn)鈦金級效率水平，電路設(shè)計(jì)復(fù)雜且具有挑戰(zhàn)性。而Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統(tǒng)成本。

2. 電信電源：

• 高效率要求的電信電源也是該系列GaN FET的重要應(yīng)用場景之一。

3. 太陽能逆變器：

• 同樣適用于相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器，提高能源轉(zhuǎn)換效率。

4. 伺服驅(qū)動器：

• 在伺服驅(qū)動器領(lǐng)域，該系列GaN FET也能發(fā)揮出色的性能。

四、市場影響

Nexperia第二代650V GaN FET器件系列的推出，不僅推動了電源技術(shù)的創(chuàng)新，還為高效、高功率密度和緊湊設(shè)計(jì)的電源產(chǎn)品提供了新的解決方案。這對于滿足日益增長的能源效率和環(huán)保需求具有重要意義。

五、總結(jié)

Nexperia第二代650V GaN FET器件系列以其卓越的性能、批量供貨能力和廣泛的應(yīng)用場景，在電源領(lǐng)域取得了顯著的突破。這些器件不僅提高了電源效率，還降低了功耗和尺寸，為高性能電源設(shè)計(jì)提供了新的選擇。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場的深入拓展，Nexperia的GaN FET器件有望在更多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。